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郭红霞; 张义门; 陈雨生; 周辉; 肖伟坚; 龚仁喜; 贺朝会; 龚建成;
西安电子科技大学微电子所;
西北核技术研究所;
MOSFET; 二维数值模拟; 单粒子翻转; 线性能量传输; 电荷漏斗模型; SEU;
机译:二维阈值摆动行为的二维半分析,包括纳米级双栅MOSFET的自由载流子和界面陷阱效应
机译:通过密度梯度法分析多栅极中的二维量子效应及其对双栅极MOSFET中短沟道效应的影响
机译:基于二维数值模拟的功率FLIMOSFET研究
机译:二维二维层状乙烯-空气扩散火焰数值模拟的入口边界条件效应
机译:斯托克斯流体中二维二维鞭毛虫运动的数值模拟。
机译:Z栅极布局MOSFET的3D数值模拟
机译:基于MEP的混合有限元能量传输模型描述的二维硅MESFET和MOSFET的数值模拟
机译:包含毛细管效应的二维非均质多孔介质中流动的数值模拟
机译:通过场效应例如半导体场效应可控制半导体组件的方法续接各种类型的场效应晶体管,例如N沟道MOSFET,双扩散MOSFET(DMOSFET)等。带有通道区的半导体本体
机译:二维电容耦合等离子体刻蚀的二维鞘层数值模拟方法及系统
机译:金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和结型场效应晶体管(JFET)的组合,可用于通过改变流经MOSFET半导体沟道区(SCR)的电流来调制电流电压响应或减轻电磁或辐射干扰效应
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