机译:通过场效应例如半导体场效应可控制半导体组件的方法续接各种类型的场效应晶体管,例如N沟道MOSFET,双扩散MOSFET(DMOSFET)等。带有通道区的半导体本体
公开/公告号DE10255830A1
专利类型
公开/公告日2004-06-17
原文格式PDF
申请/专利权人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;
申请/专利号DE2002155830
申请日2002-11-29
分类号H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;
国家 DE
入库时间 2022-08-21 22:43:38