重离子微束单粒子翻转与单粒子烧毁效应数值模拟

郭红霞; 陈雨生; 周辉; 贺朝会; 耿斌; 李永宏

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重离子微束单粒子翻转与单粒子烧毁效应数值模拟

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用束径0 4μm的微束重离子数值模拟了单粒子翻转SEU和单粒子烧毁效应SEB.单粒子翻转给出了不同离子注入后漏区的电压(电流)随时间变化规律;计算了CMOSSRAM电路的单粒子翻转;给出了收集电荷随LET值的变化曲线并给出了某一结构器件的临界电荷;VDMOS器件单粒子烧毁给出了不同时刻沿离子径迹场强、电位线、电流和碰撞离化率的变化.

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来源
《计算物理》|2003年第5期|434-438|共5页
作者
郭红霞; 陈雨生; 周辉; 贺朝会; 耿斌; 李永宏;
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作者单位

西北核技术研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类制造工艺;重离子核物理;
关键词
重离子微束; 单粒子翻转; 单粒子烧毁; 数值模拟; SEU; SEB; 集成电路; 制造工艺;
入库时间 2022-08-20 21:34:30

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