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SRAM单粒子翻转效应的二维数值模拟

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用MEDICI二维模拟软件对静态存储器SRAM的单粒子翻转现象进行了计算.力图从理论上建立分析器件SEU的可靠手段.对MOSFET漏区模拟得到结果与电荷漏斗模型相吻合,表明了所建立的物理模型的正确性.通过输入不同粒子的LET值,得到了某一结构器件的收集电荷与LET值的关系曲线,并给出临界电荷.

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来源
《第11届全国核电子学与核探测技术学术年会》|2002年|421-425|共5页
会议地点厦门
作者
郭红霞; 陈雨生; 周辉; 贺朝会; 李永宏;
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作者单位

中国核学会;

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类辐射探测技术和仪器仪表;
关键词
单粒子翻转; 能量传输; 电荷漏斗模型; 数值模拟;

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