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【2h】

Performance comparison of SRAM cells in 45NM technology in the presence of a memory cell control circuit

机译：45nm技术在存储单元控制电路存在下SRAM细胞的性能比较

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Sanket Jagadale; Aniket Phapale; T. V. Sai Varun Sasthry; V. S. Kanchana Bhaaskaran;
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年度 2018
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1. Comparison of Conventional 6T SRAM cell and FinFET based 6T SRAM Cell Parameters at 45nm Technology [J] . Deepali Verma, Shyam Babu, Shyam Akashe International Journal of Advanced Computer Research . 2015,第21期

机译：常规6T SRAM单元和基于FinFET的45nm技术的6T SRAM单元参数的比较
2. SNM Analysis During Read Operation Of 7T SRAM Cells In 45nm Technology For Increase Cell Stability [J] . Deependra Singh Rajput, Manoj Kumar Yadav, Pooja Johri, International Journal of Engineering Research and Applications . 2012,第4期

机译：在采用45nm技术的7T SRAM单元读取操作期间进行SNM分析，以提高单元稳定性
3. Static Noise Margin Analysis during Read Operation of 7T SRAM Cells in 45nm Technology for Increase Cell Stability [J] . Shelendra Singh Tomar, Madhav Singh, Shyam Akashe International Journal of Engineering Science and Technology . 2011,第9期

机译：使用45nm技术对7T SRAM单元进行读取操作期间的静态噪声裕度分析，以提高单元稳定性
4. Stability and Performance Analysis of Low Power 6T SRAM Cell and Memristor Based SRAM Cell using 45NM CMOS Technology [C] . A. S V S V Prabhu Deva Kumar, B. Shaiwal Suman, C. Arup Sarkar, International Conference on Recent Innovations in Electrical, Electronics and Communication Engineering . 2018

机译：使用45NM CMOS技术的低功耗6T SRAM单元和基于忆阻器的SRAM单元的稳定性和性能分析
5. Beyond memory cells for leakage and temperature control in SRAM-based units, the peripheral circuits story. [D] . Homayoun, Houman. 2010

机译：除了用于基于SRAM的单元中的泄漏和温度控制的存储单元以外，外围电路还具有重要意义。
6. Optogenetics and thermogenetics: technologies for controlling the activity of targeted cells within intact neural circuits [O] . Jacob G. Bernstein, Paul A. Garrity, Edward S. Boyden -1

机译：光遗传学和thermogenetics：技术完整的神经回路中的控制目标细胞的活性
7. An Analysis of Power and Stability in 6T, NC, Asymmetric, PP, and P3SRAM Bit-Cells Topologies in 45nm CMOS Technology [O] . Madhurima Kumar, Anshul Arora, Ritu Arora, 2012

机译：45nm CMOS技术中6T，NC，不对称，PP和P3SRAM位拓扑中的功率和稳定性分析

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