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机译:常规6T SRAM单元和基于FinFET的45nm技术的6T SRAM单元参数的比较
机译:45NM技术下常规6T动态8T SRAM单元的单元稳定性分析
机译:设计参数对45nm技术下的6T和8T SRAM单元的影响
机译:有效的低泄漏6T和8T FinFET SRAM:使用具有反向偏置的FinFet的电池,近阈值操作和功率门控
机译:使用45NM CMOS技术的低功耗6T SRAM单元和基于忆阻器的SRAM单元的稳定性和性能分析
机译:基于7NM FinFET的6T SRAM细胞瞬态和DC分析性能分析
机译:糖蛋白酵母str。从实验室沼气反应器中分离出的M3 / 6T具有广泛的多糖和寡肽利用能力这是基于基于基因组的代谢重建得出的
机译:45nm CMOS技术中6T,NC,不对称,PP和P3SRAM位拓扑中的功率和稳定性分析