一种基于6T单元的存储单元、存储阵列和存内计算装置

摘要

本发明涉及一种基于6T单元的存储单元，所述存储单元包括PMOS管T1、PMOS管T2、NMOS管T3、NMOS管T4、NMOS管T5、NMOS管T6、NMOS管T7、NMOS管T8、NMOS管T9、NMOS管T10、电容C_U、电容C_D、字线WL、位线BL、位线BLB、读位线RBL_L、计算字线CWL_U、差分信号端CWLB_U、计算字线CWL_D、差分信号端CWLB_D和读位线RBL_R。本发明电路仅在计算过程中电容两端电压有变化时导通，通过电容耦合的计算方式节省了功耗，提高了能量效率。