微处理器6T SRAM单元的电路设计与实现

摘要

随着MOSFET的特征尺寸不断缩减,由器件参数本征波动引起的电路稳定性问题日益突出。为了满足6T SRAM单元的电路设计要求,本文阐述了CR(cell ratio)、 PR(pullup ratio)和V<,SNM>三个设计参数的定义和取值范围;并依据所得的结论,制定了6T SRAM单元的晶体管尺寸,通过仿真实现了单元的电路设计。