典型计算机组件不同脉宽瞬时辐射效应研究

摘要

对程控系统典型组件80C196KC20单片机的不同脉宽瞬时电离辐射效应进行研究,分析了不同脉宽辐射环境下典型组件的闭锁阈值和效应差异,对损伤现象和规律以及损伤机理进行研究。为后续单片机抗辐射加固设计和弹上应用提供技术支持。