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光电耦合器件中子辐照损伤研究

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摘要

比较不同工艺光电耦合器件抗中子辐照能力的大致情况,分析器件中子位移损伤存在差异的原因。试验研究表明,低输入电流、高电流传输比率的光电耦合器件有较强的抗中子辐照能力。该结论可为今后提高武器电子学系统抗中子辐射水平提供参考.

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来源
《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》|2007年|46-49|共4页
会议地点重庆
作者
周开明; 杨有莉; 李小伟;
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作者单位

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类耦合器、定向耦合器;
关键词
光电耦合器件; 中子辐射损伤; 辐射辐照;

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