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中子辐照后电荷耦合器件暗信号的原位测量系统及方法

摘要

本发明提供一种中子辐照后电荷耦合器件暗信号的原位测量系统及方法,解决现有测量系统在中子辐照实验后器件无法反映处于真实辐射环境及工作状态下暗信号参数变化规律的问题。该系统包括辐射源、CCD辐照单元、信号处理单元和上位机;CCD辐照单元包括CCD传感器,CCD传感器的感光面与中子源束流方向垂直;信号处理单元包括FPGA主控模块、CCD驱动电路模块、A/D转换模块、图像数据缓存模块、传输模块和电源模块;CCD驱动电路模块分别与CCD传感器、FPGA主控模块连接;A/D转换模块分别与CCD传感器、FPGA主控模块连接;图像数据缓存模块与FPGA主控模块相连;传输模块与FPGA主控模块相连;上位机对图像数据进行处理,获得暗信号的变化曲线。

著录项

  • 公开/公告号CN113038121A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湘潭大学;西北核技术研究所;

    申请/专利号CN202110256732.7

  • 申请日2021-03-09

  • 分类号H04N17/00(20060101);

  • 代理机构61211 西安智邦专利商标代理有限公司;

  • 代理人郑丽红

  • 地址 411105 湖南省湘潭市雨湖区西郊羊牯塘湘潭大学

  • 入库时间 2023-06-19 11:35:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-08-16

    授权

    发明专利权授予

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