一种电荷耦合器件中子辐照后的电荷转移效率测试方法

摘要

本发明提供一种电荷耦合器件中子辐照后的电荷转移效率测试方法。该方法通过增加CCD信号电荷读出时的过扫描像素输出单元，使中子辐照诱发产生的缺陷俘获CCD信号电荷后，在过扫描像素输出单元中收集，并通过图像输出直观地呈现中子辐照诱发产生的信号电荷损失；采用饱和光照，使信号电荷包在CCD转移沟道依次转移过程中，消除暗信号尖峰带来的影响，同时能满足不同中子注量辐照后，CTE测试时，信号电荷包大小的一致性。从而解决了中子辐照后导致CCD的CTE测试不准甚至无法测试的难题。