机译:优化器件时钟方案,以最小化电荷耦合器件中的辐射损伤效应
Centre for Electronic Imaging, Department of Physical Sciences, The Open University, Milton Keynes, U.K.;
Charge-coupled device (CCD); charge transfer efficiency (CTE); charge transfer inefficiency (CTI); radiation damage; simulation; trapping;
机译:总剂量辐射损伤引起的COTS阵列电荷耦合器件饱和输出的降低
机译:电荷耦合器件中的辐射损伤
机译:电荷耦合器件中的辐射损伤z
机译:通过控制工作条件来限制电荷耦合器件中辐射损坏的影响
机译:充电和真空紫外线辐射对等离子体处理引起的半导体器件损坏的影响
机译:硅电荷耦合器件上太赫兹辐射的高性能非线性可视化
机译:优化器件时钟方案,以最大限度地减少电荷耦合器件中辐射损坏的影响
机译:辐射对电荷耦合器件和其他mOs结构的影响。