双极工艺电子器件位移损伤与电离总剂量协和效应试验方法

摘要

为了突显双极工艺电子器件位移损伤与电离总剂量协和效应特点，本发明提供一种双极工艺电子器件位移损伤与电离总剂量协和效应试验方法，首先利用γ射线对双极工艺电子器件进行辐照，辐照过程中应对器件采用变温辐照、恒高温辐照二种方式中的一种，并辐照至需要的电离总剂量水平。然后将辐照过的电子器件利用反应堆中子辐照至规定值，辐照过程中器件不加偏置，各管脚短接。在中子辐照过后，器件表面活化剂量降低至安全阈值后对器件的电学参数进行测试。本发明能够着重突显氧化物陷阱电荷、界面陷阱和位移损伤缺陷的共同作用，从而实现对复杂辐射环境下双极工艺电子器件位移损伤与电离总剂量协和效应的保守性评估。