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2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
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1.
Micro systems for sustainable society
机译:
可持续社会的微型系统
作者:
Esashi Masayoshi
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2014年
关键词:
Bonding;
Large scale integration;
Micromechanical devices;
Microswitches;
Surface acoustic waves;
Tactile sensors;
MEMS;
Micro system;
adhesive bonding;
hetero-integration;
wafer level packaging;
2.
Body channel digital pulse transmission for biometric measurement by fully implantable CMOS image sensor
机译:
人体通道数字脉冲传输,用于通过完全植入式CMOS图像传感器进行生物特征测量
作者:
Hayami Hajime
;
Ishii Yoshiaki
;
Sasagawa Kiyotaka
;
Noda Toshihiko
;
Tokuda Takashi
;
Ohta Jun
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2014年
关键词:
Electrodes;
Equivalent circuits;
Image sensors;
Integrated circuit modeling;
Wireless communication;
Wireless sensor networks;
body channel communication;
implantable CMOS image sensor;
wireless transmission;
3.
Original amplifier using only emitter and base of a Si bipolar transistor
机译:
仅使用Si双极晶体管的发射极和基极的原始放大器
作者:
Okamoto Kensho
;
Fujita Junichi
;
Ishikawa Masaki
;
Hattori Tetsuo
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2014年
关键词:
Bipolar transistors;
Electrodes;
Integrated circuit modeling;
Junctions;
Photovoltaic effects;
Silicon;
Transistors;
amplifier;
bipolar transistor;
distar;
light-emitting diode;
photodiode;
photovoltaic effect;
transistor;
4.
Schottky barrier height reduction of NiGe/Ge junction by P ion implantation for metal source/drain Ge CMOS devices
机译:
金属源/漏Ge CMOS器件通过P离子注入降低NiGe / Ge结的肖特基势垒高度
作者:
Oka Hiroshi
;
Minoura Yuya
;
Hosoi Takuji
;
Shimura Takayoshi
;
Watanabe Heiji
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2014年
关键词:
Annealing;
Ion implantation;
Junctions;
MOSFET circuits;
Metals;
Nonhomogeneous media;
Resists;
Schottky barrier height;
germanium;
ion implantation;
junction characteristics;
nickel germanide;
5.
Study of the conduction mechanism of the DNA memory FET
机译:
DNA存储FET的传导机理研究
作者:
Nakamura Shohei
;
Matsuo Naoto
;
Yamana Kazushige
;
Heya Akira
;
Takada Tadao
;
Fukuyama Masataka
;
Yokoyama Shin
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2014年
关键词:
Charge carrier processes;
DNA;
DVD;
Electrodes;
Field effect transistors;
Logic gates;
Silicon;
DNA;
memory FET;
transistor;
6.
Quantum transport simulation of ultra-small V-groove junctionless transistors
机译:
超小型V槽无结晶体管的量子输运模拟
作者:
Yamana Tatsuya
;
Mori Nobuya
会议名称:
《》
|
2014年
关键词:
Ballistic transport;
Educational institutions;
Green#039;
s function methods;
Logic gates;
Silicon-on-insulator;
Substrates;
Transistors;
junctionless transistor;
non-equilibrium Green#039;
s function;
silicon;
simulation;
7.
Gate voltage dependence of channel length modulation for Ge p-channel MOSFETs
机译:
Ge p沟道MOSFET的沟道长度调制的栅极电压依赖性
作者:
Goto Yuta
;
Hiroki Akira
;
Matsuda Akihiro
;
Nakamura Masaaki
;
Yoon JongChul
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2014年
关键词:
Analytical models;
Current-voltage characteristics;
Logic gates;
MOSFET;
Mathematical model;
Modulation;
Semiconductor device modeling;
Ge p-channel MOSFETs;
analytical current model;
channel length modulation;
8.
Conduction-type dependence of thermal oxidation rate on SiC(0001)
机译:
热氧化速率对SiC(0001)的导电类型依赖性
作者:
Kobayashi Takuma
;
Suda Jun
;
Kimoto Tsunenobu
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2014年
关键词:
Charge carrier processes;
Dielectrics;
Doping;
Oxidation;
Silicon;
Silicon carbide;
Thermal conductivity;
Silicon carbide (SiC);
conduction-type dependence;
doping dependence;
oxidation;
silicon dioxide (SiO2);
spectroscopic ellipsometry;
9.
Study of current collapse in AlGaN/GaN HEMTs passivated with sputter-deposited SiO
2
and SiN
x
机译:
溅射沉积SiO
2 inf>和SiN
x inf>钝化的AlGaN / GaN HEMT中电流崩塌的研究
作者:
Kakegami T.
;
Ohi S.
;
Sengendo K.P.
;
Tokuda H.
;
Kuzuhara M.
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2014年
关键词:
Aluminum gallium nitride;
Gallium nitride;
HEMTs;
Logic gates;
MODFETs;
Passivation;
Switches;
AlGaN/GaN;
HEMTs;
SiNx;
SiO2;
current collapse;
10.
Mechanism of off-leakage current in InGaZnO thin-film transistors
机译:
InGaZnO薄膜晶体管的漏电流机制
作者:
Wakimura Go
;
Yamauchi Yoshimitsu
;
Matuoka Toshimasa
;
Kamakura Yoshinari
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2014年
关键词:
Current measurement;
Educational institutions;
Electric potential;
Leakage currents;
Logic gates;
Photonic band gap;
Thin film transistors;
11.
Fully transparent ZnO thin-film transistors using conducting AZO films fabricated at room temperature
机译:
使用在室温下制造的导电AZO膜的全透明ZnO薄膜晶体管
作者:
Sun Y.
;
Maemoto T.
;
Sasa S.
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2014年
关键词:
Conductivity;
Electrodes;
Logic gates;
Optical variables measurement;
Pulsed laser deposition;
Thin film transistors;
Zinc oxide;
Zinc oxide;
room-temperature process;
thin-film transistor;
transparent;
12.
Electrical characterization of n
#x002B;
-InSb/p-Si heterojunctions grwon by surface reconstruction controlled epitaxy
机译:
表面重建控制外延生长的n
+ sup> -InSb / p-Si异质结的电学表征
作者:
Kimura K.
;
Hosotani K.
;
Ito T.
;
Shimoyama H.
;
Sakamoto T.
;
Mori M.
;
Maezawa K.
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2014年
关键词:
Capacitance-voltage characteristics;
Heterojunctions;
Molecular beam epitaxial growth;
Silicon;
Substrates;
Surface reconstruction;
InSb;
Si;
conduction band discontinuity;
heterojunction;
valence band discontinuity;
13.
Surface charging effects on current stability of AlGaN/GaN HEMTs
机译:
表面充电对AlGaN / GaN HEMT电流稳定性的影响
作者:
Nishiguchi Kenya
;
Hashizume Tamotsu
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2014年
关键词:
Aluminum gallium nitride;
Gallium nitride;
HEMTs;
Logic gates;
MODFETs;
Stress;
Surface charging;
AlGaN;
GaN;
HEMT;
current collapse;
14.
Heteroepitaxial growth of InSb thin films on a Ge(111) substrate
机译:
InSb薄膜在Ge(111)衬底上的异质外延生长
作者:
Mitsueda T.
;
Sakamoto T.
;
Shimoyama H.
;
Mori M.
;
Maezawa K.
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2014年
关键词:
Crystals;
Epitaxial growth;
Lattices;
Substrates;
Surface reconstruction;
Surface treatment;
Ge;
Heteroepitaxial Growth;
InSb;
15.
Improvement in elecrical properties in SAB-based n#x002B;-Si-4H-SiC junctions by annealing
机译:
通过退火改善基于SAP的n + -Si / n-4H-SiC结的电性能
作者:
Hayashi T.
;
Liang J.
;
Nishida S.
;
Shigekawa N.
;
Arai M.
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2014年
关键词:
Annealing;
Bonding;
Heterojunctions;
Silicon;
Silicon carbide;
Substrates;
Si;
SiC;
annealing;
interface;
surface activated bonding;
16.
Artificial retina using thin-film devices driven by wireless power supply #x2014; Working confirmation of pattern recognition
机译:
使用无线电源驱动的薄膜设备的人工视网膜—模式识别的工作确认
作者:
Matsumura Atsushi
;
Fuchiya Takahiro
;
Maeda Yoshiharu
;
Kadonome Takayuki
;
Tanaka Takumi
;
Matsuda Tokiyoshi
;
Kimura Mutsumi
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2014年
关键词:
Implants;
Power supplies;
Retina;
Substrates;
Transistors;
Wireless communication;
Wireless sensor networks;
artificial retina;
pattern recognition;
thin-film device;
wireless power supply;
17.
Resistive hysteresis of BaTiO
3
ferroelectric thin film prepared by MOD method
机译:
MOD法制备BaTiO
3 inf>铁电薄膜的电阻磁滞
作者:
Hashimoto Shuhei
;
Fuchida Shinpei
;
Ou Syu
;
Yamashita Kaoru
;
Noda Minoru
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2014年
关键词:
Annealing;
Atmospheric measurements;
Capacitors;
Electric fields;
Films;
Hysteresis;
Temperature;
BaTiOinf3/inf;
MOD(Metal-Organic-Decomposition);
current on/off ratio;
ferroelectric;
resistive hysteresis;
18.
Spectroscopic electrical characterization of post-resistive-transition SiO
2
films
机译:
电阻转变后SiO
2 inf>薄膜的光谱电学表征
作者:
Yamaguchi R.
;
Sato S.
;
Omura Y.
;
Nakamura K.
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2014年
关键词:
Educational institutions;
Electrodes;
Films;
Fluctuations;
Insulators;
Leakage currents;
Resistance;
Resistive transition;
SiOinf2/inf film;
current fluctuation;
electronic structure;
19.
Multiple-input NAND cirucit using polycrystalline silicon thin-film transistors and set-reset flip-flop circuit using the NAND circuits
机译:
使用多晶硅薄膜晶体管的多输入NAND电路和使用NAND电路的置位触发器电路
作者:
Nagase Yosuke
;
Matsuda Tokiyoshi
;
Kimura Mutsumi
;
Matsumoto Taketoshi
;
Kobayashi Hikaru
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2014年
关键词:
Films;
Flip-flops;
Large scale integration;
Oxidation;
Silicon;
Thin film transistors;
Threshold voltage;
NAND;
multiple-input;
polycrystalline silicon (poly-Si);
set-reset flip-flop (SR-FF);
thin-film transistor (TFT);
20.
Maximum and minimum voltage sample and hold circuits employing operational amplifiers composed of polycrystalline silicon thin-film transistors
机译:
采用由多晶硅薄膜晶体管组成的运算放大器的最大和最小电压采样和保持电路
作者:
Ohno Yasuhiko
;
Ito Yoshihiro
;
Nagase Yosuke
;
Yoshikawa Akito
;
Matsuda Tokiyoshi
;
Kimura Mutsumi
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2014年
关键词:
Collaboration;
Educational institutions;
Indium tin oxide;
Informatics;
Operational amplifiers;
Silicon;
Thin film transistors;
maximum voltage;
minimum voltage;
operational amplifier;
polycrystalline silicon (poly-Si);
sample and hold circuit;
thin-film transistor (TFT);
21.
Magnetic field sensitivity of poly-Si Hall device improved by high voltage application
机译:
高压应用提高了多晶硅霍尔器件的磁场灵敏度
作者:
Yoshikawa Akito
;
Tadokoro Daiki
;
Yamaguchi Yohei
;
Matsuda Tokiyoshi
;
Kimura Mutsumi
;
Ozawa Tokuro
;
Aoki Koji
;
Kuo Chih-Che
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2014年
关键词:
Films;
Hall effect;
Heating;
Magnetic fields;
Real-time systems;
Sensitivity;
Silicon;
Hall device;
high voltage;
magnetic field;
poly-Si;
sensitivity;
22.
Fabrication and characterization of Si/ #x223C;10-#x03BC;m mesa-etched Si junctions by surface activated bonding
机译:
通过表面活化键合制备Si / 〜10μm台面蚀刻的Si结并进行表征
作者:
Takemura K.
;
Morimoto M.
;
Nishida S.
;
Liang J.
;
Shigekawa N.
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2014年
关键词:
Arrays;
Bonding;
Capacitance-voltage characteristics;
Junctions;
Silicon;
Substrates;
Surface treatment;
Si;
mesa;
pillar array solar cells;
surface activated bonding;
23.
Characteristics of polymer photodetectors using Ga-doped ZnO electrode modified by self-assembled monolayer treatment
机译:
自组装单层处理改性的Ga掺杂ZnO电极的聚合物光电探测器的特性
作者:
Liao Yi-Wei
;
Sato Yusuke
;
Kajii Hirotake
;
Ohmori Yutaka
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2014年
关键词:
Dark current;
Electrodes;
Photodetectors;
Polymers;
Radiation effects;
Substrates;
Surface treatment;
GZO;
photodetector detectivity;
polymer photodetectors;
self assembled molecular;
24.
Design of millimeter-wave CMOS transmission-line-to-waveguide transitions
机译:
毫米波CMOS传输线到波导过渡的设计
作者:
Kunitake Hitoshi
;
Takano Kyoya
;
Motoyoshi Mizuki
;
Katayama Kosuke
;
Amakawa Shuhei
;
Yoshida Takeshi
;
Fujishima Minoru
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2014年
关键词:
CMOS integrated circuits;
Electromagnetic waveguides;
Insertion loss;
Microstrip;
Semiconductor waveguides;
Silicon;
Waveguide transitions;
WR3;
microstrip line;
patch antenna;
transmission line-to-waveguide transition;
25.
A capacitance detection circuit for on-chip microparticle manipulation
机译:
用于芯片上微粒操纵的电容检测电路
作者:
Yamane Rie
;
Iwasaki Hirosuke
;
Dei Yoshiaki
;
Cui Ji
;
Matsuoka Toshimasa
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2014年
关键词:
Capacitance;
Capacitance measurement;
Dielectrophoresis;
MOS devices;
Mirrors;
Sensors;
System-on-chip;
CBCM;
capacitance detection circuit;
dielectrophoresis;
manipulation;
microparticle;
26.
Analysis of heating phenomenon in oxide thin-film transistor under pulse voltage stress
机译:
脉冲电压应力下氧化物薄膜晶体管发热现象的分析
作者:
Kise Kahori
;
Fujii Mami
;
Tomai Shigekazu
;
Ueoka Yoshihiro
;
Yamazaki Haruka
;
Urakawa Satoshi
;
Yano Koki
;
Wang Dapeng
;
Furuta Mamoru
;
Horita Masahiro
;
Ishikawa Yasuaki
;
Uraoka Yukiharu
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
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2014年
关键词:
Degradation;
Heating;
Plasma temperature;
Stress;
Thermal analysis;
Thin film transistors;
Voltage measurement;
TAOS;
pulse stress;
thermal analysis;
thermal distribution;
27.
Orientation-controlled dielectrophoretic alignment of silicon microrod on a substrate with high positional accuracy
机译:
硅微棒在衬底上的位置控制介电电泳定位,具有较高的位置精度
作者:
Shibata Akihide
;
Watanabe Keiji
;
Sato Takuya
;
Kotaki Hiroshi
;
Schuele Paul J.
;
Crowder Mark A.
;
Zhan Changqing
;
Hartzell John W.
;
Nakatani Ryoichi
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
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2014年
关键词:
Dielectrophoresis;
Electrodes;
Face;
Microscopy;
Nanowires;
Silicon;
Substrates;
dielectrophoretic alignment;
orientation-controlled alignment;
silicon microrod;
28.
Correlation between BTI-induced degradations and process variations by measuring frequency of ROs
机译:
通过测量RO的频率,BTI引起的降解与工艺变化之间的相关性
作者:
Yabuuchi Michitarou
;
Kishida Ryo
;
Kobayashi Kazutoshi
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
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2014年
关键词:
Correlation;
Degradation;
Frequency measurement;
MOSFET;
Reliability;
Semiconductor device measurement;
BTI;
process variation;
reliability;
29.
Output voltage stability of SPMC Type AC-AC converter for power management in IT system
机译:
用于IT系统电源管理的SPMC型AC-AC转换器的输出电压稳定性
作者:
Ohtsuka Hiroaki
;
Muraguchi Masakazu
;
Ma Yitao
;
Endoh Tetsuo
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
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2014年
关键词:
AC-AC converters;
Circuit stability;
Educational institutions;
Frequency control;
Power supplies;
Stability analysis;
Voltage control;
AC-AC converter;
Single-Phase Matrix Converter(SPMC);
Sinusoidal Pulse Width Modulation(SPWM);
30.
A dual channel switched RF beamformer for LTE small cell base station receiver
机译:
用于LTE小型基站接收器的双通道切换RF波束成形器
作者:
Chiang Ying-Lou
;
Yang Jeng-Rern
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
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2014年
关键词:
Base stations;
Interference;
Long Term Evolution;
Microwave communication;
Phase shifters;
Simulation;
Switches;
Beamformer;
LTE;
phase shifter;
31.
Soft actuator using ionic polymer-metal composite driven with ionic liquid
机译:
使用离子液体驱动的离子聚合物-金属复合材料的软执行器
作者:
Okazaki Hiroshi
;
Sawada Shigeki
;
Matsuda Tokiyoshi
;
Kimura Mutsumi
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
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2014年
关键词:
Actuators;
Educational institutions;
Fabrication;
Humidity;
Liquids;
Muscles;
Polymers;
ionic liquid;
ionic polymer-metal composite (IPMC);
soft actuator;
32.
Postgrowth annealing effects on structural, optical, and electrical properties of #x03B2;-MoO
3
films grown by molecular beam epitaxy
机译:
生长后退火对分子束外延生长的β-MoO
3 inf>薄膜的结构,光学和电学性质的影响
作者:
Yagi Shinji
;
Matsuo Masayuki
;
Koike Kazuto
;
Harada Yoshiyuki
;
Sasa Shigehiko
;
Yano Mitsuaki
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
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2014年
关键词:
Annealing;
Atmosphere;
Atmospheric measurements;
Nitrogen;
Optical diffraction;
Optical films;
MoOinf3/inf;
phase transition;
postgrowth annealing effect;
33.
Noise performance of an implantable self-reset CMOS image sensor
机译:
植入式自复位CMOS图像传感器的噪声性能
作者:
Yamaguchi Takahiro
;
Sunaga Yoshinori
;
Haruta Makito
;
Noda Toshihiko
;
Sasagawa Kiyotaka
;
Tokuda Takashi
;
Ohta Jun
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
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2014年
关键词:
Brain;
CMOS image sensors;
Fluorescence;
Noise level;
Signal to noise ratio;
CMOS image sensor;
fluorescent observation;
high SNR sensor;
in vivo implantation;
neural activity imaging;
self-reset;
34.
Effects of annealing on GaAs/Si bonding interfaces for hybrid tandem solar cells
机译:
退火对混合串联太阳能电池GaAs / Si键合界面的影响
作者:
Chai L.
;
Liang J.
;
Nishida S.
;
Morimoto M.
;
Shigekawa N.
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
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2014年
关键词:
Annealing;
Bonding;
Gallium arsenide;
Junctions;
Resistance;
Silicon;
Substrates;
GaAs;
Si;
bonding interface;
tandem solar cells;
35.
Design of CMOS resonating push-push frequency doubler
机译:
CMOS谐振推挽倍频器的设计
作者:
Adachi Hiroshi
;
Motoyoshi Mizuki
;
Takano Kyoya
;
Katayama Kosuke
;
Amakawa Shuhei
;
Yoshida Takeshi
;
Fujishima Minoru
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
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2014年
关键词:
CMOS integrated circuits;
Frequency conversion;
Gain;
MOSFET;
Power generation;
Power transmission lines;
Resonant frequency;
CMOS;
frequency multiplier;
millimeter-wave;
36.
Estimation of threshold voltage from frequency of ring oscillator
机译:
根据环形振荡器的频率估算阈值电压
作者:
Matsumoto Takuya
;
Makino Hroshi
;
Yoshimura Tsutomu
;
Iwade Shuhei
;
Matsuda Yoshio
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
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2014年
关键词:
Accuracy;
Estimation;
Fitting;
Frequency measurement;
Inverters;
Ring oscillators;
Transistors;
frequency;
ring oscillator;
threshold voltage;
37.
Power electronics innovation by Silicon Carbide power semiconductor devices
机译:
碳化硅功率半导体器件在电力电子领域的创新
作者:
Okumura Hajime
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
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2014年
关键词:
Inverters;
Power systems;
Silicon;
Silicon carbide;
Switches;
Technological innovation;
Electric Power Conversion;
Inverter;
Power Electronics;
Power Semiconductor Device;
SiC;
Silicon Carbide;
38.
The mechanism of parasitic oscillation in a half bridge circuit including wide band-gap semiconductor devices
机译:
包括宽带隙半导体器件的半桥电路中的寄生振荡机制
作者:
Yanagi Tatsuya
;
Otake Hirotaka
;
Nakahara Ken
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
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2014年
关键词:
Bridge circuits;
Logic gates;
Oscillators;
Photonic band gap;
RLC circuits;
Silicon carbide;
Transistors;
Half bridge circuit;
High speed switching;
Parasitic Oscillation;
Wide band-gap semiconductor transistor;
39.
Reliability of bottom gate amorphous InGaZnO thin-film transistors with siloxane passivation layer
机译:
具有硅氧烷钝化层的底栅非晶InGaZnO薄膜晶体管的可靠性
作者:
Kulchaisit Chaiyanan
;
Fujii Mami
;
Ueoka Yoshihiro
;
Bermundo Juan Paolo
;
Horita Masahiro
;
Ishikawa Yasuaki
;
Uraoka Yukiharu
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
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2014年
关键词:
Logic gates;
Materials;
Passivation;
Reliability;
Stress;
Thin film transistors;
Threshold voltage;
a-InGaZnO;
passivation layer;
photosensitive siloxane;
thin-film transistors;
40.
In-situ TEM observation of ReRAM switching
机译:
ReRAM切换的原位TEM观察
作者:
Takahashi Yasuo
;
Arita Masashi
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
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2014年
关键词:
Electrodes;
Random access memory;
Resistance;
Switches;
Tin;
Transmission electron microscopy;
ReRAM;
Resistive random access memory;
Transmission electron microscopy;
in-situ TEM;
41.
Understanding carrier transport in the ultimate physical scaling limit of MOSFETs
机译:
了解MOSFET最终物理定标极限中的载流子传输
作者:
Tsuchiya Hideaki
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
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2014年
关键词:
Electron mobility;
Fluctuations;
MOSFET;
Performance evaluation;
Scattering;
Silicon;
Tunneling;
ballistic transport;
quantum and atomistic effects;
42.
Development of solution-derived diffusion barrier layer for back-contact crystalline silicon solar cell
机译:
用于背接触式晶体硅太阳能电池的溶液衍生扩散阻挡层的开发
作者:
Jiang Yunjian
;
Ishikawa Yasuaki
;
Yoshinaga Seiya
;
Honda Tatsuki
;
Uraoka Yukiharu
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
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2014年
关键词:
Boron;
Coatings;
Electrical resistance measurement;
Films;
Photovoltaic cells;
Refractive index;
Silicon;
back-contact silicon solar cell;
diffusion barrier;
polysilazane coating;
process cost;
43.
Characteristics of a microbridge type MEMS sensor for the thermal conductivity measurement of gases by a steady state method
机译:
用稳态方法测量气体热导率的微桥型MEMS传感器的特性
作者:
Fujii Kenta
;
Muraoka Shigenobu
;
Omatu Sigeru
;
Yano Mitsuaki
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
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2014年
关键词:
Films;
Gases;
Heating;
Micromechanical devices;
Silicon;
Steady-state;
Wires;
air-bridge by MEMS;
flow velocity;
hot wire method;
thermal condudcitivity;
44.
Study of thin film solar cell with metal-Insulator-semiconductor diode to control carrier recombination
机译:
金属-绝缘体-半导体二极管控制载流子复合的薄膜太阳能电池研究
作者:
Wakamiya Shota
;
Matsuo Naoto
;
Kobayashi Takahiro
;
Heya Akira
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
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2014年
关键词:
Electricity;
Electrodes;
Impurities;
Logic gates;
Photovoltaic cells;
Radiative recombination;
Silicon;
MIS;
carrier recombination;
gate voltage;
solar cell;
45.
Gate voltage dependence of channel length modulation for InGaAs n-channel MOSFETs
机译:
InGaAs n沟道MOSFET的沟道长度调制的栅极电压依赖性
作者:
Matsuda Akihiro
;
Hiroki Akira
;
Goto Yuta
;
Nakamura Masaaki
;
Yoon JongChul
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2014年
关键词:
Analytical models;
Current-voltage characteristics;
Indium gallium arsenide;
Logic gates;
MOSFET;
Modulation;
Semiconductor device modeling;
InGaAs n-channel MOSFETs;
analytical current model;
channel length modulation;
46.
Characterization of noise behavior of ultrathin inversion-channel and buried-channel SOI MOSFETs in the subthreshold bias range
机译:
亚阈值偏置范围内超薄反向沟道和掩埋沟道SOI MOSFET噪声行为的表征
作者:
Ito T.
;
Sato S.
;
Omura Y.
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
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2014年
关键词:
Educational institutions;
Electron traps;
Logic gates;
MOSFET;
MOSFET circuits;
Noise;
Substrates;
Low-frequency noise;
SOI MOSFET;
buried channel;
inversion channel;
subthreshold bias range;
47.
Macromodeling of operational amplifiers for sound effect circuit design
机译:
用于声音效果电路设计的运算放大器的宏模型
作者:
Oyama Takaya
;
Hiroki Akira
;
Sano Takaaki
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
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2014年
关键词:
Circuit synthesis;
Integrated circuit modeling;
Limiting;
Operational amplifiers;
Parameter extraction;
Power supplies;
Simulation;
circuit simulator;
macromodeling;
operational amplifiers;
sound effect circuit;
48.
Germanium diode modeling for sound effect circuit design
机译:
锗二极管建模,用于音效电路设计
作者:
Oda Hirokazu
;
Hiroki Akira
;
Sano Takaaki
;
Oyama Takaya
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2014年
关键词:
Current-voltage characteristics;
Data models;
Germanium;
Integrated circuit modeling;
Libraries;
Operational amplifiers;
SPICE;
Germanium diode;
Sound effect circuit;
diode model;
distortion circuit;
49.
Interface properties of n-GaN MIS diodes with ZrO
2
/Al
2
O
3
laminated films as a gate insulator
机译:
以ZrO
2 inf> / Al
2 inf> O
3 inf>层压膜作为栅绝缘体的n-GaN MIS二极管的界面特性
作者:
Kodama Shintaro
;
Tokuda Hirokuni
;
Kuzuhara Masaaki
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2014年
关键词:
Aluminum oxide;
Annealing;
Dielectric constant;
Films;
Insulators;
Interface states;
Logic gates;
Alinf2/infOinf3/inf;
GaN;
MIS diode;
ZrOinf2/inf;
50.
Effect of passivation films on DC characteristics of AlGaN/GaN HEMT
机译:
钝化膜对AlGaN / GaN HEMT直流特性的影响
作者:
Ohi S.
;
Kakegami T.
;
Tokuda H.
;
Kuzuhara M.
会议名称:
《2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai》
|
2014年
关键词:
Aluminum gallium nitride;
Gallium nitride;
HEMTs;
Leakage currents;
Logic gates;
Passivation;
Silicon compounds;
AlGaN/GaN;
SiN;
SiOinf2/inf;
passivation layer;
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