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陈海波; 刘远; 吴建伟; 恩云飞;
中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214072;
工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室,广州510610;
华南理工大学微电子学院,广州510640;
绝缘体上硅; 部分耗尽; 低频噪声; 离子注入;
机译:离子注入掩埋氧化物的部分耗尽SOI MOSFET的低频噪声和辐射响应
机译:前氧化物质量对部分耗尽和完全耗尽的SOI N-MOSFET的瞬态效应和低频噪声的影响
机译:SOI初始材料质量对部分耗尽的浮体SOI MOSFET的低频噪声特性的影响
机译:采用多指的部分耗尽SOI技术中MOSFET的低频噪声
机译:部分耗尽的SOI CMOS中的辐射硬化模拟电路。
机译:整合垃圾填埋生物反应器部分硝化和厌氧氨氧化工艺以回收甲烷并从渗滤液中去除氮
机译:阻抗光谱法研究氧离子注入超纳米晶金刚石膜中p型向n型电导率的转换
机译:退火诱导H(+)生成在sOI埋氧层中的反应和扩散;微电子工程
机译:制造完全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)和部分耗尽型绝缘体上硅(PD-SOI)器件的方法
机译:完全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)和部分耗尽型绝缘体上硅(PD-SOI)组合器件
机译:完全耗尽的SOI晶体管,带有后门的埋地铁电层
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