一种基于部分耗尽型SOI工艺的ESD保护结构

摘要

本发明涉及一种基于部分耗尽型SOI工艺的ESD保护结构，其使用SOI工艺中普通的增强型PMOS管，不需做衬底接触，使用PMOS管源端的P+/N阱寄生二极管对N阱进行偏置；PMOS管的栅极使用钳位电路进行偏置。提高了利用反向击穿原理进行ESD保护的能力。其优点是：本发明结构简单，在SOI/CMOS集成电路中占用版图面积小，使用方便，可以有效提高集成电路的ESD耐受水平。