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Method of fabricating a combined fully-depleted silicon-on-insulator (FD-SOI) and partially-depleted silicon-on-insulator (PD-SOI) devices

机译：制造完全耗尽型绝缘体上硅（FD-SOI）和部分耗尽型绝缘体上硅（PD-SOI）器件的方法

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A method (100) of forming fully-depleted (90) and partially-depleted (92) silicon-on-insulator (SOI) devices on a single die in an integrated circuit device (2) is disclosed using SOI starting material (4, 6, 8) and a selective epitaxial growth process (110).

机译：一种形成完全耗尽（ 90 ）和部分耗尽（ 92 ）绝缘体上硅（SOI）器件的方法（ 100 ）公开了一种使用SOI起始材料（ 4、6、8 ）和选择性外延生长工艺（ 110 ）。 展开▼

著录项

公开/公告号US7198993B2

专利类型

公开/公告日2007-04-03

原文格式PDF

申请/专利权人 HOWARD L. TIGELAAR;GABRIEL G. BARNA;OLIVIER ALAIN FAYNOT;
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申请/专利号US20040010849

发明设计人 GABRIEL G. BARNA;HOWARD L. TIGELAAR;OLIVIER ALAIN FAYNOT;
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申请日2004-12-13

分类号H01L21/84;H01L27/12;

国家 US

入库时间 2022-08-21 21:00:43

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