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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

召开年：2001
召开地：昆明
出版时间： 2001-04-12

主办单位：中国电子学会

会议文集：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议论文集

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1.蒙特卡罗方法模拟肖特基效应
- 孙雷;关旭东;杜刚;刘晓彦;韩汝琦
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文研究了肖特基效应对金属半导体接触的影响.通过采用自洽的蒙特卡罗方法,模拟了引入肖特基效应后,SBD的垫垒降低量和工作特性,验证了模拟使用的物理模型.得到了与理论计算值符合的模拟结果.分析模拟结果表明,由于肖特基效应形成的金属半导体接触势垒的降低,会在很大程度上影响金属半导体接触的输运特性.
2.一种2umCMOS工艺
- 胡永贵
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：介绍了一种2um硅栅自对准CMOS工艺.采用双阱、双掺杂栅结构,全离子注入和快速热退火制备的2um MOSFET能克服短沟效应和抗热载流子的能力,作出了满足16位A/D转换器需要的模块电路.
3.一种实用的双层布线介质平坦化工艺技术
- 崔伟;欧益宏;张正璠
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文主要介绍一种实用的双层布线介质平坦化工艺—旋涂玻璃(spin-on-glass),对SOG的分子结构、工艺流程、等离子刻蚀、平坦化等进行了简单的叙述.
4.一种运用于高压、高速驱动器的自对准多晶硅发射互补双极工艺
- 叶冬;陈鹏;刘建华;刘先锋
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文介绍了一种运用于高压双极电路的结隔离3μm自对准多晶硅发射极双极互补工艺,采用该工艺技术制作的晶体管,其NPN管BV<,CEO50V、f<,T>=1.8GHz,PNP管BV<,CEO70V、f<,T>=425MHz.将这一工艺应用于高压、高速驱动器SW217的研制,成功地作出了电源电压为45V、速度≤250ns的高压、高速驱动器电路.
5.复合栅控二极管技术提取热载流子诱生的SOI NMOS器件界面陷阱横向分布的研究
- 何进;黄爱华;张兴;黄如
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文提出了复合栅控二极管技术提取MOS器件界面陷阱沿沟道横向分布的原理,给出了具体的测试步骤和方法.在此基础上,对具有体接触的SOI NMOS器件进行了具体的测试和分析,给出了不同的累积应力时间下的界面陷阱沿沟道方向的模向分布.结果表明:随累积应力时间的增加,不仅漏端边界的界面陷阱峰值上升,而且沿沟道方向,界面陷阱从漏端不断向源端增生.
6.正偏栅控二极管R-G电流方法测量SOI MOS管中应力诱生界面陷阱的实验研究
- 黄爱华;何进;张兴;黄如
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文完成了正偏栅控二极管生产—复合电流法测量SOI MOS管中由于应力产生的界面陷阱密度的实验研究.该试验方法简单而且比较准确,它可以直接测得应力产生的平均界面陷阱密度,从而表征器件的抗热载流子特性.对于本文测量的器件,得到了预期的应力产生的净界面陷阱密度和累计应力时间的幂指数关系,即ΔN<,it>～t<'0.787>.
7.全耗尽SOI CMOS技术中注Ge硅化物工艺的研究
- 孙海锋;刘新宇;海潮和;徐秋霞;吴德馨
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文对全耗尽SOI CMOS技术中的注Ge硅化物工艺进行了研究.Ge的注入,使Si非晶化,减小了硅化物的形成能量.Ti硅化物在非晶层上形成.与传统的Ti硅化物相比,注Ge硅化物工艺有两个明显的特点:一是硅化物形成温度较低;二是硅化物厚度容易控制.采用注Ge硅化物工艺,使源漏方块电阻约为5.2Ω/□.经过工艺流片,获得了性能良好的器件和电路,其中,当工作电压为5V时,0.8μm 101级环振电路延迟为45ps.
8.离子注入在CMOS/SOI中的应用
- 高文方;周锁京;孙海峰;刘新宇
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文对离子注入技术在CMOS/SOI中的应用进行了详细研究.其中,主要研究了部分耗尽/全耗尽SOI器件在沟道工程---即采用深浅两次注入法.最后,给出实验结果:部分耗尽V<,tn>=1.2V V<,tp>=-0.9V(V<,ds>=0.1V),背沟道开启电压为15V,BV<,dsn>=7.5-9V BV<,dsp>=14-16V,全耗尽V<,tn>=0.7V V<,tp>=-0.8V(V<,ds>=0.1V),背沟道开启电压为18V,BV<,dsn>=4.8-5.3V BV<,dsp>=5-6.3V.
9.智能剥离SOI材料表面缺陷研究
- 李映雪;张兴;黄如;许晓燕;罗晏;梁宏;马芙蓉
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文讨论了利用键合技术形成的SOI材料表面各种键合缺陷的形成机制,以及如何减少这些表面键合缺陷的方法.
10.薄层SOS材料改性和器件应用进展
- 聂纪平;徐鼎;谈毅平
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：深亚微米CMOS/SOS器件发展对于厚度为200纳米左右的SOS外延薄膜提出了更高的要求.研究表明,采用固相外延工艺(SPE)改性的硅烷热分解生长SOS薄膜的电学特性有明显提高,材料的迁移率和器件特性有很大改善.固相外延改性后的SOS材料可以应用于CMOS/SOS器件.
11.(27-300℃)宽温区薄膜全耗尽增强型SOI MOS器件输出特性的研究
- 冯耀兰;宋安飞;张海鹏;樊路加;张正璠
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文介绍了薄膜全耗尽增强型SOI MOS器件实验样品的结构特点和主要结构参数,给出了在(27-300℃)宽温区输出特性的实验结果和理论分析.研究结果表明,实验样品在(27-300℃)宽温区具有良好的输出特性.
12.3英寸重掺砷衬底高阻厚层硅外延生长技术
- 谭卫东;陆春一;骆红;刘六亭;马林宝;马利行
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文介绍了采用常压方式外延的方法,在3英寸重掺砷衬底上生长出了电阻率＞80Ωcm,厚度＞30μm的高质量硅外延层,从而使器件获得较为理想的结果,顺利通过设计定型.
13.4英寸硅外延片生产中外延层缺陷的分析与控制
- 谭卫东;刘六亭;马林宝;陆春一
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：硅外延过程中常引入各种宏观和微观缺陷.本文以4英寸<111>硅片为研究对象,探讨了外延层缺陷的形态、成因及其减少的方法.
14.重掺杂硅单晶中氧含量的带电粒子活化分析
- 刘彩池;郝秋艳;王海云;张雯;徐岳生
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文应用带电粒子活化分析,通过<'16>O(<'3>He,P)<'18>F反应,测量<'18>F的放射性,进行了重掺杂硅单晶中氧含量的测量.
15.-5V背栅偏压下薄膜全耗尽SOI PMOSFET导电机理的理论分析
- 张海鹏;宋安飞;魏同立
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：我们由TF FD AM SOI PMOSFET的栅下硅膜物理状态随外加偏压的变化出发,对其在-5V背栅偏压下的导电机理进行了比较深入的探讨,导出了各种条件下漏源电流的解析表达式,为今后的高温SOICMOS数字电路的实验研究奠定了一定的理论基础.
16.深亚微米FD-SOI器件表面势模型
- 程彬杰;邵志标;于忠;时廷
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：对全耗尽SOI器件硅膜中的纵向电位分布采用准三阶近似,求解了亚阈区的二维泊松方程,得到了全耗尽器件正背界面的表面势公式;通过引入修正参数,建立了深亚微米全耗尽器件正背界面的表面势模型.该模型能够直观地反映DIBL效应,并且整个模型公式是基于物理的,不需要引入无穷级数或迭代过程,计算量小,十分适合EDA集成器件模型的需要.
17.离子束增强沉积法合成AlN薄膜
- 门传玲;郑志宏;多新中;徐政;林成鲁
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：利用离子束增强沉积(IBED)技术成功地合成了大面积均匀AlN薄膜,分析表明薄膜中N/Al比为0.402:1,膜厚约250nm,表面电阻高于10<'8>Ω,绝缘性能良好可代替SiO<,2>作为SOI材料的绝缘埋层.
18.多孔硅在HFH2O2溶液中的腐蚀行为及外延层转移制备SOI的研究
- 刘卫丽;多新中;张苗;沈勤我;王连卫;林成鲁
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：对多孔硅在HF/H<,2>O<,2>溶液的腐蚀行为进行了研究,与通常硅的腐蚀行为不同,多孔硅以孔内腐蚀为主,最后硅柱一起坍塌,多孔硅相对于硅有很高的腐蚀选择率.用多孔硅外延层转移的方法成功地制备出了SOI材料,卢瑟福背散射/沟道谱(RBS/C)扩展电阻(SPR)的结果表明获得的SOI材料上层硅具有很好的单晶质量,电阻率分布均匀,上层硅与氧化硅埋层界面陡直.
19.低剂量SIMOX圆片研究
- 陈猛;陈静;张峰;李炜;徐彦芬;陈可炜;王湘;刘相华;王曦
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：用剖面透射电镜、高分辨电镜以及化学增强腐蚀法和Cu-plating表征了低剂量SIMOX圆片的结构特征.结果显示,选择恰当的剂量能量窗口,低剂量SIMOX圆片表层Si单晶质量好、线缺陷密度低、埋层厚度均匀、埋层硅岛密度低、且硅/二氧化硅界面陡峭.这些研究表明,低剂量SIMOX圆片制备工艺是很有前途的SOI制备工艺.
20.SOI材料制备技术
- 毛儒焱;冯建;谈长平;邹修庆;陈洪波
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：为了适应高可靠和抗核加固集成电路的应用需要,以及满足硅圆片大直径化的需要,采用SDB(Silicon Wafer Direct Bonding)方法,制作出顶层单晶硅厚度大于5μm的SOI结构材料.结合横向隔离技术,实现电路元件间的全介质隔离,并成功应用于抗辐射加固双极型等电路当中,取得了良好效果.
21.硅-硅键合晶片在减薄过程中产生的应力及影响
- 杨国渝;冯建
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：硅-硅键合晶片中机械减薄过程中产生的应力会使硅片产生弯曲变形,这种变形若不消除,在其后的加工过程中会使图形发生扭曲或位移,导致硅片加工中途报废.经过应力消除处理后可以顺利完成加工.
22.A/D转换器发展动态
- 徐世六;武俊齐
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文介绍了国外A/D转换器的研究进展现状及我国开展A/D转换器研究取得的成果,并提出今后应重点关注的几方面问题.
23.自旋电子学及其集成技术的研究和发展
- 郑厚植
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
24.马兰哥尼对流与硅中氧含量控制
- 徐岳生;刘彩池;王海云;郝秋艳;张春玲;张雯
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文通过对晶体生长过程中的马兰哥尼对流的研究,探讨了控制马兰哥尼对泫,可以控制熔硅自由表面SiO<,2>的挥发,从而达到控制硅单晶中氧含量的目的.
25.砷化镓体单晶中缺陷及其腐蚀、分析法
- 张春玲;王海云;张雯;徐岳山
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文描述了砷化镓单晶中缺陷的种类及其对器件性能的影响,并简介其腐蚀、分析法.
26.重掺硅中氧的测定
- 刘培东;应啸;黄笑容;李立本;阙端麟
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文研究重掺硅中氧的测定,实验首先选用轻掺(ρ＞10Ω·CM)样品分别用氧体熔化分析法(GFA法,LECO RO-416测氧仪)和付立叶变换红外法(FTIR法,Nicolet410)测氧,而后用GFA法测定了重掺锑、砷、硼单晶的氧浓度.实验发现用GFA法和FTIR法测氧,二者的结果成很好的线性关系,为便于比较可将重掺硅在GFA法下的测定结果转换为FTIR法下的测定结果,文章还对影响GFA测定结果的样品制取、样品处理、测试参数选择等方面进行了探讨.
27.微氮直拉硅单晶中氧化诱生层错
- 储佳;杨德仁;马向阳;樊瑞新;李立本;阙端麟
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文研究了微氮直拉硅单晶中的氧化诱生层错,指出,氮能促进硅中氧的沉淀.与非含氮硅单晶相比,含氮硅单晶中引起的OSF密度较小,这可能是氧沉淀生长的延滞现象引起的.
28.多层硅外延生长技术研究
- 李智囊;毛儒炎;冯建;陈洪波;李文
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文介绍了高压大电流晶体管电路外延片制备的主要技术关键,及控制杂质浓度分布、晶格结构完整性、电参数及厚度均匀性、重复性等工艺流程.它所提供的外延片已成功地应用于3、4英寸电路的生产中.
29.MCM高速16位采样A/D转换器的设计考虑
- 何遐龄
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文主要讨论MCM高速16位采样A/D转换器的系统设计、电路设计和MCM工艺技术,并研究了这种A/D转换器.这种混合集成的A/D转换器是46引线双列进插式铝管壳封装,±5V电源工作,分辩率16位,采样速率2MHZ,输入模拟信号范围为峰峰值±.25V<,p-p>.
30.一种高速12位A/D转换器的设计
- 舒辉然;范麟;严顺炳;李儒章;张加斌;蒋和全
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：介绍一种采用折叠插入、两步转换的12位A/D转换器,分析了有关设计技术.给出了设计结果和电路特性.
31.VDMOSFETs宽带功率放大器研究
- 祁斌;刘英坤;王占利
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文介绍了国家高频功率VDMOS器件的一个实际应用的例子,并研制出实用化的功率放大器,对国产新型功率器件-VDMOS的性能和推广应用进行了有益的探索.
32.双层多晶硅双极超高速静态分频器的设计
- 莫邦燹;叶红飞;宁宝俊;张广勤;张利春
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文报道了一种双层多晶硅双极晶体管的结构和设计,介绍了起高速ECL静态二分频器电路的设计.静态二分频器的最高工作频率达到3.2GHz.
33.液晶显示驱动电路的设计
- 姜明哲;李晓民;苗俊涛;魏本富;侯国志;袁国顺;陈潮枢
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：我们所设计的液晶显示驱动电路包含三个信号输出电路,136个高压液晶显示驱动信号,即16个COMMON和120个SEGMENT,它与MCU有并行的接口能力,具有广泛的应用价值.
34.智能锁相环的设计
- 杜波;李志谦;樊晓华;苗俊涛;魏本富;侯国志;林鸥;袁国顺;陈潮枢;仇玉林
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：根据实际应用的要求,我们设计了一款新型智能锁相环,主要用于无线智能通讯领域.它直接对发送数据进行处理与调制,然后用2FSK方式调制发射,锁相环用于产生所需要的载频.整机具有自动调整、快速锁定、休眠、端口中断、端口唤醒等功能.
35.高性能单芯片任意波形发生器的系统设计
- 吕铁良;仇玉林
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文简要介绍了任意信号发生器(AWG)的原理,提出了AWG系统集成方案,并对AWG系统集成的问题进行了讨论.
36.一种新型的自举式Adiabatic逻辑电路
- 罗家俊;李晓民;仇玉林;陈潮枢
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文提出了一种新型的自举式Adiabatic逻辑电路——Pass Transistor-Bootstrap Charge Recovery logic(PT-BCRL),该电路的操作分为两级,第一级负现逻辑值的运算,采用传统的ECRL电路,第二级电路通过利用自举效应经NMOS管对负载进行充放电,使得其充放电为—全绝热过程;另外,第一级电路通过一互补传输门与第二级电路相连,使得该电路的能量的传输和恢复效率都显著得到提高.由于电路分两级操作它很好的解决了传统Adiabatic电路的功耗和负载电容值直接相关的问题,这在用0.6μm CMOS工艺器件参数进行的电路模拟中得到了初步验证.
37.一种模糊神经网络分类器
- 陈曦;靳东明;李志坚
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：提出一种采用超梯形隶属度函数的模糊最小最大神经网络(FMM),用于处理模式分类问题,称为模糊神经网络分类器(FNNC).这种模糊神经网络分类器发展了模糊最小最大神经网络的思想,把超梯形隶属度函数看作由上下两个嵌套的超盒组成,并且提出了相应的学习算法.
38.适用于智能卡应用的JAVA微处理器的RTL级设计
- 张建杰;杨之廉;葛元庆
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：从Java智能卡虚拟机规范出发,在改造SUN公司picoJava-Ⅱ体系结构的基础上,完成了一种流水线型Java智能卡微处理器的RTL级设计.陷阱和中断单元考虑了中断精确性,主控制器包含了两个有限状态机.整个设计用VHDL语言进行了描述和仿真,在Synopsys下用lsi_10k工艺库综合的结果为1.3万门,时钟频率可达10MHz,能够满足目前智能卡应用对微处理器成本和速度的要求.
39.低电压CMOS模拟集成电路设计
- 李拥平;石寅
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：低电压CMOS模拟电路是当今微电子技术发展中的重要分支.本文围绕其研究进展,分析了它的设计要点和制约因素,讨论了低电压数模混合技术的研究情况;作为一个应用广泛的实例,本文设计了一个1.5V高性能运算放大器,标准1.2μm CMOS工艺下实现了2MHz单位增益带宽,直流增益达到65dB,电源功率仅为60uW.
40.高压大电流驱动器阵列的研制
- 刘嵘侃;江军
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：高压大电流驱动器阵列是由七路达林顿晶体管阵列、电阻网络及嵌位二极管网络组成,能够同时驱动七路负载,是一种大功率的单片双极型高速集成电路.本文着重介绍了产品的电设计、工艺和版图设计及可靠性设计,得到了较满意的结果,可批量化生产.
41.大动态中频限幅放大器的设计
- 唐万军;黄开军
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文以一种具有视频输出的大动态中频限幅放大器的设计为例,分析了几种基于限幅电路的工作原理、特点,并阐述了限幅放大器设计中的关键技术.
42.一种新型的故障自动检测器
- 刘伦才;王若虚
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文从系统建立角度详细阐述了一种新型的故障自动检测系统,并在此基础上对自行研制开发的SFH001故障自动检测器的电路结构和制作工艺做了简要论述.该产品具有检测信号多种多样、灵敏度高、频带宽、响应速度快(50ns)、一致性好、可操作性强等特点,可广泛地运用于工业、国防等科学技术领域.
43.一种高增益对数视频放大器研究
- 王若虚
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：文章从电路原理、电路结构等方面介绍了一种高增益单片对数视频放大器(LVA)的设计.该电路采用PN结隔离3um双极工艺制作,LCC24无引线片式载体封装.经测试,该电路动态范围达76dB、增益为74dB、对数斜率为50mV/dB、对数精度为±1.5dB.
44.液氮温度下多晶硅发射区RCA器件和电路
- 叶红飞;高玉芝;张广勤;宁宝俊;莫邦燹;罗葵;张利春
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文研究了掺磷双层多晶硅RCA器件和电路的制备工艺及其温度特性.在工艺中采用了自对准双极结构,人为生长RCA超薄氧化层,并用快速热退火处理RCA氧化层.研制的多晶硅发射区RCA晶体管不仅具有较低的电流增益—温度依赖关系,而且还具有较快的工作速度.此外,我们还首次制备出多晶硅发射区RCA ECL静态二分频器,在室温下工作频率为1.1～1.2GHz,在液氮温度下能够正常工作,工作频率可达730MHz.
45.耗尽型MOSFET铯掺杂机理研究及工艺监控方法的创立
- 李剑锋;刘学军;段大志
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：耗尽型MOSFET中铯Cs掺杂是POWER MOS器件加工过程中的一种特殊工艺,它有别于普通的改变半导体材料导电类型的III-V族元素掺杂,而且利用铯Cs原子与半导体材料中III,V族元素的相互作用,达到改变沟道杂质浓度和提高栅电极预置电压的目的,即“二次掺杂”.由于我们过去使用的系列工艺对此领域从未涉猎,尚属空白,本次铯(Cs)掺杂机理的研究和工艺监控方法的创立对我们今后开发新的POWER MOS工艺有着非常重要的指导意义.
46.深亚微米电子束抗蚀剂
- 刘明;陈宝钦;徐秋霞
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本章讨论了PMMA正性电子束抗蚀剂和SAL601负性电子束抗蚀剂的工艺条件.经过大量实验总结出PMMA的工艺条件为:165℃前烘30分钟,曝光剂量选择380-500μC/cm<'2>,在20℃的温度下用MIBK:IPA=1:3的显影液显影1分钟,再用IPA冲洗30分钟,在80℃低温下烘烤30分钟以去除残余物质.SAL601是一种化学放大,对烘烤温度要求很严格.我们在实验中选用热板在105℃前烘2分钟曝光剂量为8-21μC/cm<'2>,105℃后烘2分钟,用SAL601的专用显影液显影4-8分钟.
47.大晶粒硅栅抑制硼穿透超薄氧化层的工艺研究
- 殷华湘;徐秋霞;李俊峰;郝秋华
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：深亚微米CMOS工艺中由注入掺杂形成P型和N型双栅.P型栅中的硼(B<'11+>)在源漏热退火时会穿透(Penetration)超薄栅氧化层进入沟道引起器件性能的劣化.通常采用氮化氧化层来抑制小尺寸器件中的日趋严重的硼穿效应,而本文通过改进栅电极结构,即增大多晶硅晶粒尺寸来实现上述目的.文中阐述了大晶粒硅栅的工艺形成和生长机理,以及“致密效应”;重点分析了大晶粒硅栅比氧化氮化更强的抑制B穿透与改善薄氧化层击穿电压的特性;描述了大晶粒硅栅中不同的B扩展机理及对氧化层可靠性的改善机制.同时我们成功将大晶粒硅栅应用于具备超薄栅氧化膜MOS管.
48.PECVD SiON淀积工艺实验研究
- 林发永;刘志弘;刘荣华;张伟;付玉霞;刘爱华;仲涛;鲁勇;石永维
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文应用C-1 PECVD系统从实验上研究了各种工艺条件对SiON淀积速率、折射率及其片内均匀性影响,并从中确定出优化的工艺菜单.
49.微波功率芯片的亚微米工艺
- 王因生;张树丹;王佃利;傅义珠;盛国兴;桂德成;丁晓明;王志楠
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：报道一种掺砷多晶硅发射极超自对准亚微米工艺技术,特别适用于研制大面积的硅微波大功率晶体管.文中简述器件结构和工艺,同时给出器件研制的结果.
50.(27-300℃)宽温区薄膜全耗尽增强型SOIMOS器件输出特性的研究
- 冯耀兰
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文介绍了薄膜全耗尽增强型SOIMOS器件实验样品的结构特点和主要结构参数,给出了在(27-300℃)宽温区输出特性的实验结果和理论分析.研究结果表明,实验样品在(27-300℃)宽温区具有良好的输出特性.
- SOIMOS器件;
51.-5V背栅偏压下薄膜全耗尽SOIPMOSFET导电机理的理论分析
- 张海鹏
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：我们由TFFDAMSOIPMOSFET的栅下硅膜物理状态随外加偏压的变化出发,对其在-5V背栅偏压下的导电机理进行了比较深入的探讨,导出了各种条件下漏源电流的解析表达式,为今后的高温SOICMOS数字电路的实验研究奠定了一定的理论基础.
- 背栅偏压;
52.复合栅控二极管技术提取热载流子诱生的SOINMOS器件界面陷阱横向分布的研究
- 何进
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文提出了复合栅控二极管技术提取MOS器件界面陷阱沿沟道横向分布的原理,给出了具体的测试步骤和方法.在此基础上,对具有体接触的SOINMOS器件进行了具体的测试和分析,给出了不同的累积应力时间下的界面陷阱沿沟道方向的模向分布.结果表明:随累积应力时间的增加,不仅漏端边界的界面陷阱峰值上升,而且沿沟道方向,界面陷阱从漏端不断向源端增生.
- 复合栅控二极管;
53.PECVDSiON淀积工艺实验研究
- 林发永
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文应用C-1PECVD系统从实验上研究了各种工艺条件对SiON淀积速率、折射率及其片内均匀性影响,并从中确定出优化的工艺菜单.
- SiON薄膜;
54.一种用数字存储权值的模拟神经网络单元电路
- 周伟雄;靳东明
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文提出了一种用数字存储权值的模拟神经网络的电路,该神经网络可以精确地存储权值,并且神经元所占用的芯片面积较小.文中详细描述了神经元的电路和神经网络的结构.同时,文中理论分析了该神经元电路工作原理,并给出了Hspice模拟的结果.
55.具有自支撑三明治结构的射频滤波器设计
- 丛鹏;刘燕翔;任天令;刘理天
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：现有体声波滤波器基本采用体硅加工技术.本文采用表面硅加工工艺和牺牲层技术制作体声波滤波器.利用多孔硅作为牺牲层,形成不需支撑膜的由上层金属电极,压电材料和下层金属电极构成的自支撑的三明治结构.避免了支撑膜对滤波器的影响.同时本文设计将每个谐振器作为一个自支撑单元,减少了工作在不同频率下谐振器的互相干扰.
56.高精度电流频率转换器的研制
- 万天才
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：介绍了一种高精度电流频率转换器的电路设计与工艺制作,并给出了研究结果.设计的电路输入电流范围为0～10mA,输出频率为0～500kHz,在满刻度为500kHz下其非线性度小于0.6﹪.
57.光电器件用硅单晶片腐蚀技术研究
- 杨洪星;赵权;刘春香;宋晶;谢俊启
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文通过对化学腐蚀的机理进行分析,提出了一种新型湿法腐蚀方法二步腐蚀法.
58.ULSI铜互连技术中电镀工艺的完整填充性
- 张国海;夏洋;钱鹤;王文泉;龙世兵
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：给电镀液中加入适当的整平剂,同时采用了三步电流法,成功的将工业镀铜技术应用于ULSI铜互连线技术中,实现了对高宽比为1μm:0.6μm的刻孔的无空洞、无裂缝填充.所镀铜膜的电阻率为2.0μΩ·cm,X衍射的分析结果显示出的Cu(111)的致密结构非常有利于互连线技术中高抗电迁移性要求.
59.3.4nm超薄SiO2栅介质的特性
- 许晓燕;谭静荣;高文钰;黄如;田大宇;张兴
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：用LOCOS工艺制备出栅介质厚度为3.4nm的MOS电容样品,通过对样品进行I-V特性和恒流应力下V-t特性的测试,分析用氮气稀释氧化法制备的栅介质的性能,同时考察了硼扩散对栅介质性能的影响.实验结果表明,制备出的3.4nmSiO<,2>栅介质的平均击穿场强为16.7MV/cm,在恒流应力下发生软击穿,平均击穿电荷为2.7C/cm<'2>.栅介质厚度相同的情况下,P<'+>栅样品的击穿场强和软击穿电荷都低于N<'+>栅样品.
60.STI技术中隔离沟槽的刻蚀
- 欧文;王新柱
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：随着微电子工艺技术的不断进步,基于LOCOS的隔离技术已经不适应深亚微米工艺的要求,浅沟槽隔离(STI)技术由于所具有的几乎为零的场侵蚀,更好的平坦性和抗锁定性能以及低的结电容,已成为深亚微米工艺的主流隔离技术.本文地STI技术中的浅沟槽的形成进行了研究,获得了能满足STI隔离技术要求的浅沟槽.
61.CMOS/SOI4Kb静态随机存储器
- 海潮和
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文对一种CMOS/SOI4Kb静态随机存储器进行了研究,其电路采用1K×4的并行结构体系.为了提高电路的速度和降低功耗,采用地址转换监控Address-Translate-Detector(ATD)、两级字线Double-Word-Line(DWL)和新型的两级灵敏放大等技术,其地址取数时间为30ns,最小动态工作电流为30mA(在工作电压5V,工作频率为2MHz时),静态维持电流为1mA.CMOS/SOI4Kb静态随机存储器采用1.2μm单层多晶、双层金属的SOICMOS抗辐照工艺技术,其六管存储单元尺寸较小:12.8μm×8.4μm,芯片尺寸为:3.6mm×3.84mm.
- ATD电路;
62.正偏栅控二极管R-G电流方法测量SOIMOS管中应力诱生界面陷阱的实验研究
- 黄爱华
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文完成了正偏栅控二极管生产—复合电流法测量SOIMOS管中由于应力产生的界面陷阱密度的实验研究.该试验方法简单而且比较准确,它可以直接测得应力产生的平均界面陷阱密度,从而表征器件的抗热载流子特性.对于本文测量的器件,得到了预期的应力产生的净界面陷阱密度和累计应力时间的幂指数关系,即ΔN<,it>～t<'0.787>.
- 栅控二极管;
63.全耗尽SOICMOS技术中注Ge硅化物工艺的研究
- 孙海锋
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文对全耗尽SOICMOS技术中的注Ge硅化物工艺进行了研究.Ge的注入,使Si非晶化,减小了硅化物的形成能量.Ti硅化物在非晶层上形成.与传统的Ti硅化物相比,注Ge硅化物工艺有两个明显的特点:一是硅化物形成温度较低;二是硅化物厚度容易控制.采用注Ge硅化物工艺,使源漏方块电阻约为5.2Ω/□.经过工艺流片,获得了性能良好的器件和电路,其中,当工作电压为5V时,0.8μm101级环振电路延迟为45ps.
- CMOS器件;
64.可编程锁相环的设计和实现
- 樊晓华;杜波;苗俊涛;魏本富;侯国志;袁国顺;陈潮枢
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文设计的可编程锁环相电路(Programmable PLL-PPLL)是一个内置VCO的输入频率和输出频率可编程预置分频的电路.它具有良好的和MCU的接口能力,并且适用于无线移动通讯系统.现在被用于智能无线控制电路发送信号调制频率的产生.
65.深槽刻蚀研究及在IC隔离中的应用
- 齐臣杰;岳瑞峰;刘理天
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文报道了用ICP技术刻蚀出窄深槽结构.槽宽1～2.5μm,槽深7～25μm,刻蚀速率2μm/min,陡直度89度.该结构可以应用到MEMS和IC的隔离中.
66.隧穿效应的蒙特卡罗模拟
- 孙雷;刘晓彦;杜刚;韩汝琦
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文运用自洽的蒙特卡罗方法模拟了肖特基接触的隧穿效应.模拟的内容包括工作在不同的温度下,具有不同的势垒高度以及在半导体一侧不同的掺杂浓度下的正向和反向偏置下的工作状态.分析模拟结果可知,在比较高的掺杂浓度和比较低的工作温度下,隧穿电流成为结电流主要的部分.
67.离子注入氮化薄SiO2栅介质的特性
- 王延峰;刘忠立
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本论文研究了通过多晶硅栅注入氮离子氮化10nm薄栅SiO<,2>的特性.实验证明氮化后的薄SiO<,2>栅具有明显的抗硼穿通能力,它在FN应力下的氧化物陷阱电荷产生速率和正向FN应力下的慢态产生速率比常规栅介质均有显著下降,氮化栅介质的击穿电荷(Q<,bd>)比常规栅介质提高了20﹪.
68.MOS电容电离辐射陷阱电荷研究
- 刘忠立
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：采用高频C-V曲线方法,研究了500A及150AMOS电容电离辐射空穴陷阱及界面态的建立过程,发现电离辐射空穴陷阱电荷密度在1×10<'3>GY(Si)剂量下同栅SiO<,2>厚度成正比,而在5×10<'3>GY(Si)剂量下同栅SiO<,2>厚度的2倍成正比,利用电离辐射后的隧道退火效应,计算出二种样品电离辐射陷阱电荷在Si-SiO<,2>界面附近分布的距离均约为40A.
69.硅高速分频器的工艺研究
- 李荣强;冯兆兰;张正璠
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：采用2μm硅双极工艺研制的全温下8分频的静态分频器,工作频率可达2.4GHz/350mw.晶体管的特征频率达7.0GHz,该氧化物隔离多晶硅接触工艺在高速数字,模拟混合电路的研制中有广泛的推广前景.
70.新一代硅——SOI技术的新进展
- 林成鲁
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：SOI(silicon-on-insulator)被国际上公认为是“二十一世纪的硅集成电路技术”,本文综述了SOI技术新进展.SIMOX和Smart-cut SOI技术已走向商业化.在高温与辐射环境下工作的SOI电路已走向市场.近年来,移动电子系统的迅速发展以SOI材料在低压、低功耗、高速电路方面所具有的优势,已使SOI材料成为制备低压低功耗电路的首选材料.
71.通过离子注入进行硅基GaN的P型掺杂
- 张昊翔;叶志镇;赵炳辉;王宇;李嘉炜
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文中我们利用离子注入的方法对本系统外延生长的GaN薄膜进行Mg掺杂,通过在N<,2>气氛中退火,使用掺杂区域的本征N型GaN转为P型,空穴浓度为2.70×10<'17>/cm<'3>,迁移率为9.39cm<'2>/Vs,从而形成PN结,这些工作为后续的GaN器件的研制打下了基础.
72.CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器
- 海潮和;刘新宇;韩郑生;刘洪民;孙海峰;周小茵;陈焕章;扈焕章
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文对一种CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器进行了研究,其电路采用1K×4的并行结构体系.为了提高电路的速度和降低功耗,采用地址转换监控Address-Translate-Detector(ATD)、两级字线Double-Word-Line(DWL)和新型的两级灵敏放大等技术,其地址取数时间为30ns,最小动态工作电流为30mA(在工作电压5V,工作频率为2MHz时),静态维持电流为1mA.CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器采用1.2μm单层多晶、双层金属的SOI CMOS抗辐照工艺技术,其六管存储单元尺寸较小:12.8μm×8.4μm,芯片尺寸为:3.6mm×3.84mm.
73.4英寸P/P+高阻厚层硅外延片电阻率的精确控制
- 谭卫东;刘六亭;骆红;马林宝;陆春一;马利行
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文讨论了影响P/P<'+>高阻厚层硅外延片外延层电阻率稳定控制的主要因素,采取立式常压外延,利用背面封闭技术,充分抑制了高温状态下低阻重掺硼衬底的杂质自掺杂效应,使得外延层电阻率得到精确的控制.该技术已成功地应用到4英寸P/P<'+>高阻厚层硅外延片的生产中,外延片电阻率大于50欧姆厘米,厚度大于40微米.
74.GaN材料用蓝宝石单晶及衬底片的研究
- 步云英;谢礼丽;张玲;孙德海;于秉华;王皎瑜
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：蓝宝石单晶是一种用途很广的晶体材料,还是一种很好的GaN蓝光光电器件的衬底材料,本文介绍了单晶生长制备工艺及衬底片的加工工艺.
75.CMOS集成电路用Φ6-8英寸外延硅材料
- 王启元;林兰英;何自强;龚义元;蔡田海;郁元桓;何龙珠;高秀峰;王建华;邓惠芳
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：随着集成电路集成度不断提高,主流技术的集成电路已经发展到0.35微米或更小的水平,集成成电路对硅材料表面晶体完整性、吸杂特性等提出了更高的要求,P/P<'+>、N/N<'+>结构的硅外延材料,有效消除了硅抛光片表面的晶体原生缺陷(COP'S),并具有高效的吸杂能力,更有利于提高亚微米集成电路的芯片成品率和器件可靠性.本文主要报导了φ6英寸CMOS硅外延材料的研究开发及集成电路应用成果,并对φ8英寸P/P<'->硅外延材料进行了初步探索研究.
76.γ-Al2O3/Si硅基外延薄膜生长与表征
- 昝育德;王建华;邓惠芳;李瑞云;王俊;林兰英
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：应用低压CVD和高真空外延技术在Si上生长出γ-Al<,2>O<,3>/Si薄膜,高剂量X射线粉末衍射测试说明升高温度有利于γ-Al<,2>O<,3>/Si外延生长,单晶衍射法证明它们的结晶关系是(100)γ-Al<,2>O<,3>//(100)Si,[010] γ-Al<,2>O<,3>//[010]Si. γ-Al<,2>O<,3>/Si单晶薄膜与初底的热胀系数的差异引起界面硅产生大量Cottrell位错.这给于我们一种提示,在能长出单晶膜的条件下,尽可能降低外延生长温度.
77.含氮硅单晶机械强度的研究
- 王淦;杨德仁;李东升;杨辉;李立本;阙端麟
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文用三点弯方法研究了在室温下普通和微氮硅单晶的机械强度.通过实验,我们发现由于氮的加入,硅单晶材料在室温下的机械强度有明显地改善;并对室温下氮杂质增强机械强度的可能机理进行了探讨.研究还发现,硅单晶材料表面状态及晶向对室温下机械强度也存在影响.
78.φ6″P型(100)CZSi单晶中微缺陷的研究
- 郝秋艳;刘彩池;王海云;任丙彦
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文主要研究了6″P型(100)直拉硅单晶中微缺陷与间隙氧之间的关系,并在不同的生长条件下研究了微缺陷与晶体生长热历史之间的关系.实验结果表明,间隙氧严重影响到微缺陷的密度,拉速同样影响微缺陷,拉速愈大,则缺陷密度增加尺寸减小.1200℃高温退火4～6h可消除微缺陷.
79.纳米孔氧化埋层SOI材料制备探索
- 张苗;刘卫丽;安正华;林成鲁
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本研究利用纳米空腔时对氧吸附的特性,探索新的SOI制备技术,氦-氧共注入纳米孔氧化埋层SOI.
80.SOI结构γ-Al2O3/Si界面处碳、氧沾污处理和俄歇分析
- 王俊;谭利文;邓惠芳;王建华;王启元
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文主要讨论了在γ-Al<,2>O<,3>结构材料界面处出现的碳、氧沾污问题,经过相应工艺改进,做Si衬底清洁处理后,通过俄歇分析证明,取得良好的结果.
81.Si与Si基材料质量提高的一些问题
- 梁骏吾
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
82.硅基光电集成基础研究
- 叶志镇
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
83.大直径直拉硅单晶体内氧沉淀的长大对FPD的影响
- 余学功;杨德仁;马向阳;田达晰;沈益军;李立本;阙端麟
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文主要研究了大直径硅单晶体中氧沉淀的长大对空洞型原生缺陷(FPD)的影响,在此基础上的讨论了空洞型原生缺陷的消除机理.实验结果表明了硅单晶体内氧沉淀的长大对晶体体内空洞型原生缺陷(FPD)无影响,这是由于在硅晶体体内,原生void缺陷内壁氧化膜在退火过程中不能被消除,它阻止了由氧沉淀长大所释放的自间隙硅原子进行void缺陷内部,使void缺陷无法被消除.这些自间隙硅原子在退火过程中将最终形成了自间隙型位错环和层错,或者以过饱和的状态存在于晶体体内.所以,void缺陷被消除的首要条件是其内壁氧化膜的消除,然后由表面氧化或氧沉淀长大所释放的自间隙硅原子注入无内壁氧化膜的voids,而使void缺陷消除.
84.对影响GaAs晶体性能因素的探讨
- 张颖怀;徐岳生;刘彩池
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：GaAs具有电子迁移率高、禁带宽度大以及直接越迁型能带结构等特性,这是由它的特殊结构决定的.影响其电学性能的因素很多,本文简述了杂质元素改变晶体结构从而改变晶体电学性能及退火改变晶体的电参数.研究影响晶体电学性能的因素,对于我们改进生产工艺,提高生产效率具有十分重要的意义.
85.带电压基准的电压输出型高速8位DAC的设计
- 严顺炳;陈静;张家斌;舒辉然;黄萍
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：传统的DAC为电流输出型DAC,逐步发展为电压输出型DAC;提供基准电压的电流输出型DAC;带电压基准的电压输出型DAC;高速DAC.本文设计实现的带电压基准的电压输出型高速8位DAC,其基准电压为2.56V,电压输出建立时间(-55℃～125℃)高达950nS.
86.一种CMOS高速八位A/D转换器设计
- 张加斌;范麟;舒辉然;严顺炳;李儒章;余景川;蒋和全
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文介绍了一种高速八位A/D转换器的基本结构,以及该结构实现高速八位A/D转换器性能的关键部分,在HP工作站的Candecs系统下,采用1μm工艺模型参数进行了电路模拟分析,模拟结果为：工作电压Vcc=5V,模拟输入2V正弦信号,采样时钟频率100MHz,SFDR=55.6dB,电源I<,CC>=25mA,并且给出了1μmCMOS工艺结构的版图.
87.利用电荷恢复逻辑的八位乘法器设计
- 李晓民;仇玉林;陈潮枢
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文介绍一种利用电荷恢复逻辑的Wallace-tree八位乘法器的设计.乘法的基本逻辑为我们自己提出的一种电荷恢复逻辑DSCRL(Dual-Swing Charge-Recovery Logic)电路单元.文中讨论了适于DSCRL电路实现的乘法器逻辑结构并给出了乘法器的电路.
88.具有语音处理功能的16位MCU设计
- 李素杰;彩虹;彭崇梅;杜波;张起骋;赵霞;田丰收;姜明哲;李全圣;袁国顺;陈潮枢;仇玉林
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文介绍一种16位MCU语音电路——KW16C03的设计,该电路可对LPC、PCM编码的语音数据进行解压缩处理.
89.嵌入式微控制器(MCU)的开发
- 李志谦;袁国顺;陈潮枢;仇玉林
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文主要介绍嵌入式微控制器的基本结构和嵌入式微控制器系列产品的开发方法.
90.一个异步Viterbi解码器的系统级设计
- 黑勇;仇玉林
- 《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》 | 2001年
摘要：本文提出了一种异步逻辑电路的系统级设计方法,并用此方法设计了一种异步viterbi解码器.该解码器利用全硬件实现以提高性能,而且考虑到通讯设备长时间处于待机状态的特点,利用异步逻辑待机无功耗的特点来实现低功耗设计.在算法优化中,采用2的补码编码方法,把BM中的平方运算简化为加法运算,使PM中的更新操作简化为求反操作.VHDL逻辑仿真表明解码器功能正确,异步逻辑电路待机无逻辑操作并能自动初始化.