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3英寸重掺砷衬底高阻厚层硅外延生长技术

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本文介绍了采用常压方式外延的方法,在3英寸重掺砷衬底上生长出了电阻率＞80Ωcm,厚度＞30μm的高质量硅外延层,从而使器件获得较为理想的结果,顺利通过设计定型.

著录项

来源
《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》|2001年|8-9|共2页
会议地点昆明
作者
谭卫东; 陆春一; 骆红; 刘六亭; 马林宝; 马利行;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.12;TN304.4;
关键词
硅材料; 外延生长技术; 外延层; 重掺砷衬底;

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