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STI技术中隔离沟槽的刻蚀

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随着微电子工艺技术的不断进步,基于LOCOS的隔离技术已经不适应深亚微米工艺的要求,浅沟槽隔离(STI)技术由于所具有的几乎为零的场侵蚀,更好的平坦性和抗锁定性能以及低的结电容,已成为深亚微米工艺的主流隔离技术.本文地STI技术中的浅沟槽的形成进行了研究,获得了能满足STI隔离技术要求的浅沟槽.

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来源
《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》|2001年|203-205|共3页
会议地点昆明
作者
欧文; 王新柱;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类隔离技术;
关键词
浅沟槽隔离; 隔离技术; 刻蚀; 隔离沟槽;

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