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Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar
Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar
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1.
Removal of Electrode Polymer by Plasma Clean After SOG Etch Back Process
机译:
SOG蚀刻后处理后通过等离子体清洁除去电极聚合物
作者:
Y.K.Hwang
;
S.F.Chen
;
M.C.Yeh
;
P.T.Chu
;
C.H.Shen
;
C.H.Chen
会议名称:
《Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar》
|
1998年
2.
Micro vibration and vibration sensitive equipment
机译:
微振动和振动敏感设备
作者:
Satoshi Togari
会议名称:
《Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar》
|
1998年
3.
Advanced <0.25#mu#m Etch Applications with Decoupled Plasma Source Technology
机译:
高级<0.25#MU#M蚀刻应用具有解耦等离子体源技术
作者:
Diana Ma
会议名称:
《Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar》
|
1998年
4.
In Line Real Time Yield Impact Prediction by Regression Method
机译:
在线实时产量屈服地通过回归方法预测
作者:
Renn-Shyan Yeh
会议名称:
《Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar》
|
1998年
5.
A Novel Method For Determining Kinetic Rate Expressions During CVD Using a Combination of Step Coverage Measurements and Computer Simulation
机译:
一种新的方法,用于使用步进覆盖测量和计算机模拟的组合确定CVD期间的动力速率表达式
作者:
E. J. McInerney
会议名称:
《Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar》
|
1998年
6.
Pattern Density Effect Induced Poly Damage after Poly Etching
机译:
Poly蚀刻后的图案密度效应诱导多损伤
作者:
Chia-Hung Lai
;
Yuan-Ko Hwang
;
Sen-Fu Chen
;
Po-Tao Chu
;
Chia-Hsiang Chen
会议名称:
《Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar》
|
1998年
7.
Interface Characterization of IMP Titanium on Si Using Novel Analytical Techniques
机译:
采用新型分析技术界面表征SI的IMP钛
作者:
Shen-Chuan Lo
;
Samuel Chiu
;
K.M. Yin
;
C.C. Chiang
;
Charlene Chen
;
F. R. Chen
;
J. J. Kai
会议名称:
《Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar》
|
1998年
8.
Investigating The Effects of Amorphous Ba_xSr_(1-x)TiO_3 Buffer Layer on the Electrical Characteristics with Transmission Electron Microscopy
机译:
用透射电子显微镜调查非晶BA_XSR_(1-X)TiO_3缓冲层对电特性的影响
作者:
Jiann-Shiun Kao
;
Ming-Ning Yu
;
Chuen-Horng Tsai
;
Fu-Rong Chen
;
Ji-Jung Kai
;
Cheng-Chung Jaing
;
Jeng-Jiing Sheu
会议名称:
《Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar》
|
1998年
9.
The impact of as dopants in ldd inplantation on junction leakage of dram cells
机译:
掺杂剂在LDD切片对DRAM细胞结漏的影响
作者:
Hsiaowen Lee
;
Hsin-Yi Lee
;
Ing-Ruey Liaw
会议名称:
《Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar》
|
1998年
10.
Lithographic Challenges in Taiwan
机译:
台湾的光刻挑战
作者:
Chi-Min Yuan
会议名称:
《Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar》
|
1998年
11.
Cold/Hot Al Process for deep 0.4#mu#m contact filling Effects of flow temperature and Modification
机译:
冷/热AL工艺深度0.4#MU#M触点灌装效果流动温度和改性
作者:
Wen-Chir Huang
;
Samuel Chiu
;
Charlene Chen
;
Cheng-Cheng Chiang
;
Yee-Shi Chang
;
Fu-Rong Chen
;
Anchor Chen
;
C.C. Hsu
会议名称:
《Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar》
|
1998年
12.
300 mm Equipment Front End Automation
机译:
300毫米设备前端自动化
作者:
Alfred Honold
;
Paul Ballentine
;
Uwe Plath
会议名称:
《Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar》
|
1998年
13.
Application of Energy Filtered TEM on Failure Analysis of Sub-Half Micron IC Devices
机译:
能量滤波TEM在次半微米IC器件故障分析中的应用
作者:
K.M. Yin
;
L. Chang
;
F.R. Chen
;
J.J. Kai
会议名称:
《Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar》
|
1998年
14.
Characterizing and Optimizing Chemical Mechanical Planarization Processes in Semiconductor Manufacturing: A Response Surface Approach
机译:
半导体制造中的化学机械平坦化工艺的特征和优化:响应面方法
作者:
Shu-Kai S. Fan
;
Chung-Min Lin
;
Tony Tsai
会议名称:
《Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar》
|
1998年
15.
Integration Methodology of CVD TiN Barrier, CVD W, WEB and W CMP
机译:
CVD TIN屏障,CVD W,WEB和W CMP的集成方法
作者:
J.Wu
;
Y.L. Wang
;
Jowei Dun
会议名称:
《Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar》
|
1998年
16.
Cu CMP Endpoint System Modeling and In-situ Calibration
机译:
CU CMP端点系统建模和原位校准
作者:
Chi-Tzung Wang
;
William Yueh
;
Wes Jeng
会议名称:
《Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar》
|
1998年
17.
Improving Reliability, Yield and Throughput of Chemical-Mechanical-Planarization Through Process Automation and Control
机译:
通过工艺自动化和控制提高化学机械平面化的可靠性,产量和吞吐量
作者:
James Moyne
;
Victor Solakhian
;
John Curry
;
Tim Veaver
;
Richard Gwizdak
会议名称:
《Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar》
|
1998年
18.
Characterization of a PECVD W_XN Process Using N_2, H_2, and WF_6
机译:
使用N_2,H_2和WF_6的PECVD W_XN进程的表征
作者:
Jacky Wei
;
Kevin Lai
会议名称:
《Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar》
|
1998年
19.
Polycide Gate Etching and Oxide Charging Damage Evaluation in the Quarter-Micron DRAM Process
机译:
四分之一微米DRAM过程中的多晶栅极蚀刻和氧化物充电损伤评估
作者:
Bor-Ru Sheu
;
Kun-Hsu Wu
;
Erik S. Jeng
会议名称:
《Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar》
|
1998年
20.
The Short Channel Effect on PMOS Device for BF2 Implant and The Molecular Dissociation
机译:
BF2植入物PMOS装置的短信效应和分子解离
作者:
Hsueh-Li Sun
会议名称:
《Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar》
|
1998年
21.
Improvement Of Removal Rate And Edge Exclusion For Oxide-CMP
机译:
氧化物-CMP的去除率和边缘排斥的提高
作者:
J.K. Lin
;
J.S. Lai
;
P.Y. Peng
;
C.C. Yang
;
Edward Yang
会议名称:
《Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar》
|
1998年
22.
New Developments for Chemical Mechanical Polishing of Aluminum Alloy Thin Films
机译:
铝合金薄膜化学机械抛光的新发展
作者:
Y.L. Wang
;
J.Wu
;
C.W. Liu
;
J.K.Lan
;
C.C.Tsan
;
Jowei Dun
;
F.K.Yang
;
W.T.Tseng
;
K.Y. Lo
;
C. Liu
会议名称:
《Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar》
|
1998年
23.
Process and Integration Issues in the Fabrication of Copper Interconnects
机译:
铜互连制造中的过程和集成问题
作者:
Robert L. Jackson
会议名称:
《Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar》
|
1998年
24.
IC Device Technology for the Next Century
机译:
IC器件技术在下个世纪
作者:
Chenming Hu
会议名称:
《Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar》
|
1998年
25.
Shallow Trench Isolation: Process Integration Challenges and Solutions
机译:
浅沟隔离:流程集成挑战和解决方案
作者:
John M. Boyd
;
Joseph P. Ellul
;
Greg Menke
会议名称:
《Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar》
|
1998年
26.
CIM in the 300mm Era
机译:
CIM在300mm时代
作者:
Douglas Scott
会议名称:
《Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar》
|
1998年
27.
Proven Practice and Future Application of POlysilicon CMP in IC Fabrication
机译:
Polysilicon CMP在IC制作中的经验证实和未来应用
作者:
Raymond R. Jin
;
Shijian Li
;
Simon J. Fang
;
Fritz Redeker
会议名称:
《Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar》
|
1998年
28.
Impact of Endpoint Algorithm on Micro Scratch and In-Situ Rate Monitor for Tungsten CMP
机译:
终点算法对钨CMP微划痕和原位速率监测的影响
作者:
Walters Shen
;
K. Y. Wang
;
Adam Chen
;
William Pan
;
Sen-Hou Ko
会议名称:
《Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar》
|
1998年
29.
Advanced Process Control Framework
机译:
高级过程控制框架
作者:
Kevin Nguyen
;
Eric Qiu
会议名称:
《Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar》
|
1998年
30.
Process and optical study of oxynitride films in DUV application
机译:
氮化物膜在DUV应用中的过程和光学研究
作者:
Liang-Gi Yao
;
Keng-Chu Lin
;
Hua-Tai Lin
;
Pin-Ting Wang
会议名称:
《Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar》
|
1998年
31.
Conserveation strategies to yield significant wafer fab cost reductions
机译:
保护策略产生显着的晶圆厂成本降低
作者:
Michael OHalloran
会议名称:
《Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar》
|
1998年
32.
Characterization and Proposed Mechanisms for Control of Shallow Silicon Trench Profile and Microcontours in a Dual-Frequency High Density Reflected Electron Plasma Etch Reactor
机译:
双频高密度反射电子等离子体蚀刻反应器中浅硅沟槽轮廓和微肠的控制的特征和提出机制
作者:
Paul F. Werbaneth
;
John P. Almerico
会议名称:
《Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar》
|
1998年
33.
Low pressure sputtering of copper, and related barriers, for seed layers and complete planarization.
机译:
低压溅射铜,相关屏障,种子层和完全平坦化。
作者:
M. Biberger
;
S. Jackson
;
E. Klawuhn
会议名称:
《Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar》
|
1998年
34.
Trench Etching Effects on Shallow Trench Isolation (STI) Electrical Properties for Sub-0.25 #mu#m CMOS Devices
机译:
沟槽蚀刻对浅沟槽隔离(STI)电性能的蚀刻蚀刻效果为SUB-0.25#MU#M CMOS器件
作者:
Fu-Liang YANG
;
I-Fong TSENG
;
Chien-Sheng HSIEH
;
Wei-Ray LIN
;
Chung-Ju LEE
;
I-Ping LEE
;
Tze-Shi YAN
;
Jung-Ho CHANG
;
Ming-Hong KUO
;
Ing-Ruey LIAW
会议名称:
《Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar》
|
1998年
35.
Process Integration Issues on Multilevel Metallization
机译:
多级金属化过程集成问题
作者:
Chyi-Tsong Ni
;
W.T. Wang
会议名称:
《Semiconductor Equipment and Materials International IC seminar》
|
1998年
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