公开/公告号CN106158721B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-12-27
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN201510769398.X
申请日2015-11-11
分类号
代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司;
代理人章社杲
地址 中国台湾新竹
入库时间 2022-08-23 10:46:34
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-27
授权
授权
2016-12-21
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/762 申请日:20151111
实质审查的生效
2016-12-21
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20151111
实质审查的生效
2016-11-23
公开
公开
2016-11-23
公开
公开
机译: 浅沟槽隔离(STI)区域的沟槽填充方法
机译: 浅沟槽隔离(STI)区域的沟槽填充方法
机译: 用于形成浅沟槽隔离(STI)的具有锥形轮廓和圆角的浅沟槽的方法