用于抑制暗电流的浅沟槽隔离(STI)结构及形成方法

摘要

一种在具有大量像素的晶片级图像传感器中的器件之间制造目标浅沟槽隔离(STI)结构的方法，包括蚀刻沟槽，该沟槽具有比目标STI结构更大的深度和宽度，并且在沟槽中外延生长基板材料达提供隔离结构的目标深度和宽度所必需的时间长度。在半导体基板中形成的STI结构包括在基板中蚀刻的沟槽，其深度和宽度大于STI结构的深度和宽度，以及在沟槽中外延生长的半导体材料，以提供STI结构的临界尺寸和目标深度。一种图像传感器，包括半导体基板、光电二极管区域、像素晶体管区域以及光电二极管区域与像素晶体管区域之间的STI结构。