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张海峰; 刘芳; 陈燕宁; 原义栋; 付振;
北京智芯微电子科技有限公司 国家电网公司重点实验室电力芯片设计分析实验室 北京100192;
北京智芯微电子科技有限公司 北京市电力高可靠性集成电路设计工程技术研究中心 北京100192;
栅电流; 浅沟槽隔离; 隧穿; 能带结构;
机译:浅沟槽隔离效应对CMOS图像传感器源跟随器MOSFET闪烁噪声的影响
机译:虚拟有源图案对n-MOSFET中由自旋玻璃填充的浅沟槽隔离引起的机械应力的影响
机译:65nm以下低功耗互补金属氧化物半导体技术通过优化浅沟槽隔离工艺来改善浅沟槽隔离应力
机译:浅沟槽隔离应力对45度旋转MOSFET布局的影响
机译:CMOS的浅沟槽隔离。
机译:使用双层门绝缘子在GaN-on-Si垂直沟槽MOSFET中:对性能和可靠性的影响
机译:一种新的物理和定量宽度相关的浅沟槽隔离CmOs器件热载流子模型
机译:0.5微米浅沟槽211隔离技术中产量限制缺陷的识别
机译:用于隔离半导体器件的浅沟槽和深沟槽的形成涉及形成浅沟槽,电介质层,电介质层中的开口,间隔件以及开口中的深沟槽。
机译:STI CMP高氧化物与氮化物选择性低且均匀的氧化物沟槽在浅沟槽隔离中凹陷,浅沟隔离器凹陷,化学机械平面化研磨CMP
机译:具有气隙的浅沟槽隔离结构,使用该浅沟槽隔离结构的CMOS图像传感器及其制造方法
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