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陈扶; 唐文昕; 于国浩; 张丽; 徐坤; 张宝顺;
中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院 合肥 230026;
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 多功能材料与轻巧系统重点实验室 苏州 215123;
GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管; U型槽; 射频功率; 刻蚀掩模;
机译:氮流量比与溅射氮化钛栅体平面金属氧化物半导体场效应晶体管和鳍型金属氧化物半导体场效应晶体管电学特性的比较研究
机译:n〜+-源极/漏极再生的GaN金属氧化物半导体场效应晶体管在刻蚀GaN上的性能
机译:GaN基沟槽型垂直金属氧化物半导体器件栅极电容建模
机译:准垂直GaN基沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:功率垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管中的总电离剂量效应。
机译:基于再生和注入方法的N沟道GaN金属氧化物半导体场效应晶体管的制作和评估
机译:用于垂直栅极 - 全邻金属氧化物半导体场效应晶体管的垂直栅极 - 全氧化物半导体场效应晶体管制备期间的方差减少
机译:温度对GaGdO / GaN金属氧化物半导体场效应晶体管的影响;应用物理快报
机译:沟槽型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:垂直型jfet限制型碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法和垂直型jfet限制型碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:垂直型JFET限制型碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法和垂直型JFET限制型碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
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