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方霞;
杭州电子科技大学;
浅沟槽隔离技术; MOSFET器件模型; RF CMOS工艺; 应力模型; 集成电路设计;
机译:浅沟槽隔离引起的机械应力效应对纳米级nMOSFET器件性能的沟道宽度依赖性
机译:矩形沟槽氧化铈浆液在浅沟槽隔离化学机械平面化中的非Prestonian行为
机译:浅沟槽隔离化学机械抛光中磨料尺寸和表面活性剂浓度对二氧化铈浆料非Prestonian行为的影响
机译:利用氧化物硬掩墩浅沟槽隔离干蚀刻工艺研究90nm独立闪光装置中的KRF光电抗蚀剂
机译:闪存(NAND)微加工中的浅沟槽隔离工艺。
机译:社会隔离动物模型中24小时自主功能障碍和抑郁行为:对抑郁症和心血管疾病研究的影响
机译:超级结沟槽mOsFET器件中的电容行为
机译:0.5微米浅沟槽211隔离技术中产量限制缺陷的识别
机译:用于隔离半导体器件的浅沟槽和深沟槽的形成涉及形成浅沟槽,电介质层,电介质层中的开口,间隔件以及开口中的深沟槽。
机译:STI CMP高氧化物与氮化物选择性低且均匀的氧化物沟槽在浅沟槽隔离中凹陷,浅沟隔离器凹陷,化学机械平面化研磨CMP
机译:在半导体制造过程和半导体装置中形成浅沟槽隔离的方法,包括浅沟槽隔离
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