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摘要
第一章文献综述
第二章评价实验方法和工艺简介
第三章CMP研磨程序的确立和优化
第四章不同厂商的研磨剂的评价
第五章器件沟槽隔离相关的电学特性的研究
第七章全文总结与展望
参考文献
致谢
论文独创性声明及使用授权声明
田明;
复旦大学;
浅沟槽隔离器件; 化学机械抛光; 高压器件; 集成电路工艺; 批量生产;
机译:浅沟槽隔离和衰减器对双栅LDMOS器件性能的影响
机译:浅沟槽隔离引起的机械应力效应对纳米级nMOSFET器件性能的沟道宽度依赖性
机译:隔离浅沟槽周围的应变评估以及应力对LSI器件性能的影响
机译:隔离SiGe HBT中浅沟槽隔离边缘的新方法,可提高器件性能
机译:先进的浅沟槽隔离(STI)CMP工艺和消耗品的特性。
机译:使用直接激光写入技术的基于聚合物的器件制造和应用
机译:一种新的物理和定量宽度相关的浅沟槽隔离CmOs器件热载流子模型
机译:微波图像线集成电路在X波段及以上辐射计和其他微波器件中的应用研究
机译:用于减小在浅沟槽隔离CMP工艺中形成的氮化物层的厚度变化以及用于形成半导体器件的器件隔离膜的方法
机译:亚微米集成电路器件浅沟槽隔离结构和浅沟槽隔离结构中晶体硅氮化物薄膜的形成
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