隔离技术属于《中国图书分类法》中的六级类目,该分类相关的期刊文献有47篇,会议文献有9篇,学位文献有16篇等,隔离技术的主要作者有周毅、张国艳、杨利,隔离技术的主要机构有中国电子科技集团公司第二十四研究所、北京大学、哈尔滨量具刃具集团有限责任公司等。
统计的文献类型来源于 期刊论文、 学位论文、 会议论文
1.[期刊]
摘要: DMP343压力范闸在0-10至0-1000mbar,精度(IEC 60770)为0.175/0.25%FSO BFSL,不锈钢防护壳可选,主要用于测量微压,...
2.[期刊]
摘要: 提出了背向选区腐蚀生长多孔硅的集成电感衬底结构.ASITIC模拟证明,该新型衬底结构的集成电感在高频下仍具有较高的品质因子.采用此工艺,在固定腐蚀液配比的条件...
3.[期刊]
摘要: 介绍了时间/压力型点胶技术的系统结构和点胶过程,在此基础上总结了该类型点胶技术生产过程中常见的问题,分析了产生这些问题的原因及其它各种影响最终点胶质量的因素。...
4.[期刊]
摘要: 高低压隔离是SOI(Silicon-on-Insulator)高压功率集成电路的关键问题之一。文章对SOI介质隔离问题进行了深入研究。通过理论分析和数值仿真,...
5.[期刊]
摘要: 采用电化学腐蚀的方法成功地制备了厚膜p型宏孔多孔硅。氢氟酸和二甲基甲酰胺按体积比1:4组成电化学腐蚀的溶液。通过在不同条件下制备的多组样品,得出了多孔硅生长速...
6.[期刊]
摘要: 芯片底部填充胶主要用于CSP/BGA等倒装芯片的补强,提高电子产品的机械性能和可靠性。根据芯片组装的要求,讨论了底部填充胶在使用中的工艺要求以及缺陷分析方法。
7.[期刊]
摘要: 介绍了一种用于高品质射频集成电感的厚膜多孔硅背向生长技术。ASITIC模拟证明厚膜多孔硅衬底能够显著提高射频集成电感的性能。采用背向生长技术成功地制备出了厚膜...
8.[期刊]
摘要: 得益于可折叠弯曲的特性,在柔性基底上制备的磁通门传感器近年来得到人们的关注.在用于电流测量时,柔性结构可以在不断开电流导体的情况下,通过打开-闭合方式将导体包...
9.[期刊]
摘要: 从紧凑型伺服驱动直到强大的直驱系统,我们可以提供全方位的系列伺服反馈编码器产品和技术,这是创建定制解决方案的理想之选。除了丰富的产品线之外,技术领导者SICK...
10.[期刊]
摘要: 为了顺应工业市场发展的需求,作为行业领导者的德国SICK集团,推出了全数字的伺服反馈通信协议HIPERFACE DSL协议(图1)。这使得伺服反馈的通信减少到...
11.[期刊]
摘要: The main purpose is to propose a way to reduce the parallel coupled microstrip ...
12.[期刊]
摘要: YB99型包装机是用于在硬条烟外层裹包透明薄膜.具有外形美观,包装质量好、具有广泛的包装适应性等特点,是各中小型烟厂广泛选用的卷烟包装设备.但该设备的电控系统...
13.[期刊]
摘要: 外延结构的生长特性决定了埋层图形在外延层上漂移的现象,这种现象会给工艺带来危害,导致产品失效。在实际工艺中,通常是通过一定的校正原则来抵消埋层漂移的影响。另外...
14.[期刊]
摘要: 音圈电机因外形和工作原理与扬声器的音圈类似而得名,它能在短时间内进行电能向机械能的单向转换,把电能转换成大量的机械能,因其袖珍的外表和在性能上的优势而被广泛应...
15.[期刊]
摘要: 研究了预亚胺化温度、时间以及刻蚀时间对聚酰亚胺湿法刻蚀结果的影响。预亚胺化后2.5μm厚的PI-5型聚酰亚胺采用EPG 533型光刻胶作为掩膜时,预亚胺化采用...
16.[期刊]
摘要: 在短波通信设备中,当预选器工作时,会有载波信号泄漏到后选器中;反之,当后选器工作时,也存在载波信号泄漏到预选器中.如果预/后选器隔离度低,这些泄漏的信号会和传...
17.[期刊]
摘要: 音圈电机因外形和工作原理与扬声器的音圈类似而得名,它能在短时间内进行电能向机械能的单向转换,把电能转换成大量的机械能,因其袖珍的外表和在性能上的优势而被广泛应...
18.[期刊]
摘要: 微电子组装的大部份工艺开发都要求将元件做到更小,以便在尺寸日益缩小的便携式设备上实现更多功能.阐述了大元件的底部填充.即一侧的尺寸超过15 mm,底部填充的胶...
19.[期刊]
摘要: 三防漆涂覆于印制线路板及其组件的表面,可以有效地保护电路免遭恶劣环境的侵蚀、破坏,从而提高并延长它们的使用寿命,确保使用的安全性和可靠性.面在电子组装的返修工...
20.[期刊]
摘要: 以SSOP 20L集成电路塑封为例,运用Moldex3D软件建立CAE模型.用此方法建立的CAE模型与物理模型具有较好的相似性,可作为IC塑封模拟金线变形和芯...
1.[会议]
摘要: 提出了一种用于MEMS工艺的DRT金属剥离新技术.采用双层普通正性光刻胶,两次曝光,再用甲苯处理,使光刻胶断面上宽下窄,表面呈倒角悬垂.淀积金属后,用丙酮作剥...
2.[会议]
摘要: 在阳极膜上进行各项异性腐蚀硅深槽,采用外延方式生长多晶硅,进行填槽,再对表面进行化学机械抛光,实现了槽隔离的批量化生产.
3.[会议]
摘要:
4.[会议]
摘要: 通过对P-N结隔离和SOI全介质隔离技术的对比研究,提出了一种适用于100V以内的单晶硅深槽介质隔离工艺,隔离电压100V时,相邻隔离岛之间的最大漏电流小于0...
5.[会议]
摘要: 波峰焊制程中有一半甚至一半以上的焊料变成了锡渣,既导致生产成本的上升,又造成废弃物的增加。本文介绍的锡渣还原剂在波峰焊制程中使用可节省焊料合金55-90%,同...
6.[会议]
摘要: 液态硅源硅酸乙酯(TEOS)在700~750℃分解的LPCVD工艺,二氧化硅薄膜沉积的速率可以达到20~30nm/min,薄膜的厚度均匀性小于1﹪,这些优良的...
7.[会议]
摘要: InGaAs/InAlAs/InPHEMT是微波毫米波和光通讯系统的优选器件,台面隔离是器件制作和芯片加工中的关键工序之一,它不仅影响有源器件的直流性能和器件...
8.[会议]
摘要: 电子玻纤、覆铜板(CCL)及印制电路板(PCB)是同一条产业链上3个紧密相连的上下游行业。历年来的生产发展及市场变化证实,该产业链上这3个行业上下呼应、节节相...
9.[会议]
摘要: 本文采用三维混合模拟研究了经过源极隔离P-hit SET加固技术加固的单个反相器的敏感面积,并且利用HSPICE模拟计算了加固后反相器的延迟和功耗.同时和未经...
1.[学位]
摘要: 浅沟槽隔离技术(Shallow Trench Isolation, STI)以突出的隔离性能,平坦的表面形貌,良好的锁定性能以及几乎没有场侵蚀,已经成为深亚微...
2.[学位]
摘要: 随着IC制造技术的快速发展,可量产的CMOS技术,其特征线宽也由0.13um进入了90nm甚至65nm及以下。本文针对90nm逻辑器件浅沟道隔离制程存在的问题...
3.[学位]
摘要: 高压集成电路HVIC(HighVoltageIntegratedCircuits)具有可靠性高、体积小、速度快、功耗低等优点,在军事、航空航天及核能等领域有着...
4.[学位]
摘要: 随着集成电路技术的不断发展,功率器件的研究受到了广泛关注,SOI(Silicon-on-Isolation) 技术以其理想的介质隔离性能,相对简单的隔离工艺受...
5.[学位]
摘要: 为了提高集成电路的生产率,避免芯片中部分器件失效而导致整个电路失效,而引入了基于熔丝技术的冗余技术。电编程熔丝(eFUSE)以其体积小、成本低廉、可缩小性强、...
6.[学位]
摘要: 最近几年,随着半导体技术的快速发展,半导体集成电路发生了翻天覆地的变化。而其中,半导体的隔离技术也经历了巨大发展。以前当半导体制造技术在0.25微米以上线宽的...
7.[学位]
直接的浅沟槽隔离器件CMP技术在集成电路高压器件芯片制造中的应用及性能研究
摘要: 随着集成电路工艺的不断发展,关键尺寸的大小不断递减,半导体晶片不断地朝小体积、高电路密集度、快速、低耗电方向发展,集成电路现已进入ULSI亚微米级的技术阶段,...
8.[学位]
摘要:
浅沟隔离是目前大规模集成电路制造中用于器件隔离的主要方法。本文研究了0.18微米浅沟槽隔离技术(STI)中的刻蚀工艺。
本文通过对各种工艺参数的选...
9.[学位]
摘要: 在现代集成电路制造中,一般采用浅沟槽隔离技术来实现有源器件的隔离。然而随着器件尺寸的缩小,对浅沟槽隔离的无缝隙填充成为隔离技术中的难点之一。本论文主要介绍一种...
10.[学位]
摘要: 无线射频识别技术(Radio Frequency Identification,RFID)的特点是利用无线电波来传送识别信息;以无线方式进行非接触的双工通信,...
11.[学位]
摘要: 在功率集成电路应用领域,LDMOS由于和CMOS有着良好的工艺兼容性而被广泛采用。若采用体硅工艺制造,通常寄生效应多,器件占用面积较大;而SOI(绝缘体上的硅...