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第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会

召开年：2005
召开地：长沙
出版时间： 2005-12-26

主办单位：中国电子学会

会议文集：第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会论文集

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1.硅的电化学深刻蚀技术
- 王连卫;吴俊徐;陈瑜
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：在硅衬底上刻蚀深沟槽和深孔是在传感器技术的一种重要的加工手段.可以用于制作加速度传感器、陀螺仪、穿过硅片的互联和射频(RF)应用等MEMS(MicroElectroMechanical System:微机电系统)器件和光电子器件.目前通常使用的方法是深反应离子刻蚀技术(DRIE).由于这项技术的成本很高而且所能达到的深宽比有限所以需要开发一种新的技术来与之互补.近来,湿法的电化学深刻蚀技术因为其较低的设备和运行成本而受到业界的重视.并已经成为硅基二维光子晶体制备的主要方法之一.Ohji等人利用电化学深刻蚀技术制作出加速度传感器和陀螺仪等MEMS器件.同时,硅的电化学深刻蚀技术也被研究用于三维微系统集成的穿过硅片的互联研究. 本文报道了硅的电化学深刻蚀过程中各种因素的影响,特别探索了在低温、磁场作用下的阳极氧化行为,探索了采用电化学深刻蚀技术进行器件的制作的相关设计规则并进行了诸如MEMS结构,微纳米通道制作等的探索。
2.电子束光刻常用的抗蚀剂工艺技术研究
- 陈宝钦;张立辉;范东升;牛洁斌;刘明;薛丽君;李金儒;汤跃科;王德强;任黎明;龙世兵;陆晶
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：电子束光刻技术是推动微电子和微细加工发展的关键技术,尤其在先进掩模制造和纳米加工领域中,起到不可替代的作用.为满足科研和生产的需要,我们中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术研究室长期以来一直开展光学光刻系统的分辨率增强技术和电子束曝光及电子束直写技术研究,取得了很好的应用效果,其中电子抗蚀剂工艺技术是实现高分辨率加工的基础.本文重点介绍电子束光刻中常用的电子抗蚀剂曝光工艺技术优化的问题.
3.DY-2000纳米通用图形发生器的研制
- 方光荣;顾文琪;张今朝;殷伯华
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：我们成功研制了一台纳米通用图形发生器,该图形发生器可以与扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、扫描探针显微镜(SPM)和聚焦离子束系统(FIB)连接,组成纳米曝光系统或加工系统,用于纳米器件研究、纳米结构制造.该图形发生器主要功能是:将计算机送来的曝光图形数据进行处理,分解成单元图形坐标值,再经过高精度、高速度数模转换器(D/A)变换成相对应的模拟量,驱动偏转放大器,对工件进行曝光或加工.图形发生器同时接通束闸单元,控制电子束或离子束的通与断,以及控制工件台的移动,以实现大面积图形的拚接和多层图形的套刻.该图形发生器已投入小批量生产,并在用户稳定运行.它与日本电子JSM-6360扫描电子显微镜连接,已获得21nm的曝光图形和纳米级的拚接精度和套刻精度.
4.基于SEM的纳米级电子束曝光机系统设计
- 顾文琪;薛虹;韩立;刘俊标;初明璋
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本文主要介绍基于扫描电子显微镜(SEM)纳米级实用化电子束曝光机系统的研究内容、主要技术指标及曝光工艺实验的结果.
5.电子束光刻中的快速邻近效应校正技术的研究
- 郝慧娟;张玉林;宋会英;魏强
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：通过预先建立校正过程中需要的各种规则表,校正过程中需要的参数通过查表获得,快速、准确地实现用电子束曝光技术加工MEMS微器件中的邻近效应校正.采用局部和全局分层校正机制,局部校正准确计算,全局校正以图形单元为单位进行近似估计,满足了校正精度和速度两个方面的要求.
6.基于CPLD和高精度D/A的电子束曝光机定位误差补偿系统
- 殷伯华;方光荣;顾文琪
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本文介绍了以CPLD(ComplexProgrammableLogicDevice,复杂可编程逻辑器件)和高精度数模转换芯片为核心器件构成的电子束曝光机定位误差实时补偿系统.着重讲述了使用CPLD对误差信号的变换过程、高精度D/A的使用.给出了Verilog程序源程序并讲述其处理过程.分析了本电子束曝光机定位误差实时补偿系统的特点.
7.LaB6电子枪的Kramers-Heisenberg散射与Fermi分布
- 尹明;逄明祥
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：分析了LaB6电子枪的Kramers-Heisenberg散射与电子束能量分布.以SDS-3电子束设备的电子枪为基础,加速电压为30kV,讨论了双曲凹面加速器维纳尔(外敷碱土金属氧化物盖)的电子轨迹与电子枪发射电子的Fermi分布.通过这一维纳尔电子被送达硅片靶心(置于光栏前).最后给出了测量LaB6电子枪分辨率的方法.与考虑了系统像差影响的理论计算结果进行比较,两者的最后结果基本一致.
8.电子束掩模制造技术及其发展方向
- 彭力
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：微电子技术正向深亚微米、纳米方向发展.而电子束掩模制造技光设备由于波长短,位置控制精度高,而具备制作精确图形的优势.电子束的工作方式有两种:光栅扫描和矢量扫描.矢量扫描电子束,ZBA-23H电子束由电子光学柱、激光工件台等组成.工艺:电子束胶及有机溶剂的显影、腐蚀等.发展方向:在0.13以上,由于激光波长原因.再小的尺寸只能由电子束或与其它设备共同来制作.还得采取特殊OPC、相移技术,化学放大胶等.
9.电子束抗蚀剂在光掩模制造工艺中的应用
- 段小楠
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：电子束抗蚀剂是微细加工工艺中极具发展潜力的一种抗蚀剂.本文介绍了在微细加工工艺中应用电子束抗蚀剂在光掩模制造中的关键步骤及目前常用的几种电子束抗蚀剂,分析了电子束抗蚀剂的特性及其应用于光掩模加工工艺中应注意的问题.
10.电子束光刻制备纳米点阵及其应用
- 全保刚;杨海方;李海钧;顾长志
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本文探索了以电子束直写曝光方法制备高质量纳米点阵列的最优化工艺及金属纳米点阵列的应用.通过电子束直写系统对涂有PMMA胶、PMMA/MMA双层胶和PMMA/LOR双层胶的硅基片进行曝光,经过显影、金属沉积以及溶脱等工艺得到的金属纳米点阵列,通过SEM观察、改变相应的工艺条件获得了制备高质量的无边壁金属纳米点阵的最优工艺参数.此外,我们利用金属纳米点阵作为催化剂制备出了高取向性的点阵排布碳纳米管阵列,并且研究了金属催化剂点直径对碳纳米管单根性的影响.结果表明通过PMMA/MMA双层胶和PMMA/LOR双层胶曝光能够获得高质量的金属纳米点阵列,当金属催化剂点直径小于50纳米时通过等离子辅助化学气相沉积方法可以制备单根碳纳米管阵列.金属纳米点阵列的成功制备可以在磁学以及磁性材料方面有很大的价值,碳纳米管可以在场发射显示器、集成电路等方面有广泛的应用前景.
11.采用单片机控制的真空控制器
- 邹春艳;伍三忠;罗宏洋
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本文介绍了一种采用单片机控制的新型真空控制器.离子注入机真空系统复杂,为适应自动化控制的发展要求,真空控制器除了必须具备手动控制和执行上位机控制指令的功能外,还要具备通讯接口标准化、可靠性高、成本低等特点.采用8032单片机控制的真空控制器可以完全实现以上设计要求,文中阐述了它的工作原理,主要硬件结构、Modbus现场工业总线协议的软件设计及抗干扰措施.
12.稀土Er离子注入GaN薄膜晶格损伤和发光特性研究
- 陈维德;宋淑芳
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：掺稀土GaN材料在光通讯和显示技术等方面有广泛的应用前景.本文利用背散射/沟道技术和光致发光谱等技术研究不同离子注入条件对Er离子注入GaN薄膜微结构和发光特性的影响.背散射/沟道技术分析结果指出,随稀土注入剂量和能量增加,引入的晶格损伤总量增加,沟道注入和升温(400℃)注入可以减少损伤的引入,热退火可使部分晶格损伤得到恢复.采用合适的离子注入参数和高温退火工艺,可获得强的室温GaN∶Er在1.54mm的红外发光.
13.新型等梯度加速管设计
- 郭健辉;唐景庭
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：为了得到较大的束流，同时兼顾低能端的传输效果。加速管采用等梯度加速管，以保证加速电场均匀。新型等梯度加速管是一种线性设计，由一系列被介质隔离的电极组成，电极上的负电压依次增大。这种加速管虽然结构较复杂，但它的优点是，电场分布均匀、不易击穿。本文简述了大角度离子注入机对加速管的要求,介绍了加速管的原理和结构设计。
14.大角度离子注入机质量分析器设计
- 郭健辉;唐景庭
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：质量分析器是离子注人机的重要组成部分，它的主要作用，是将离子束中的离子按其质量数的不同进行分选，选择所需要的离子通过分析器光栏，到达靶室，以保证注人元素的纯度。因此质量分析器应具有良好的分辨能力。同时为保证光路的束传输效率.质量分析器还应具有良好的的聚焦能力。本文简述了大角度离子注入机对分析器的要求,介绍了分析器的原理和结构设计。
15.晶圆片温度对SIMOX SOI材料的影响
- 乔狮雄;刘咸成;伍三忠;文正
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：SIMOXSOI工艺中,采用可控加热器对晶圆片进行加热,可以使晶圆片在注入的整个过程中稳定在610℃(偏差±2℃).在610℃时注入形成的SOI材料较低温下注入形成的SOI材料有很大改善.
16.晶圆片自动定位方法
- 龙娟
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：具有高度自动控制功能的离子注入机利用机械手完成晶片输送工作,可以加快输送速度,避免人为出错及减少微粒污染.自动定位技术常常是自动装卸片过程中一项非常关键的技术.本文主要介绍了晶片自动定位的原理及实现方法.该自动定位方法应用于离子注入机上,效果非常理想.
17.聚焦离子束系统研究
- 张彬庭;谭翔;王功荣;刘京威;宋秀云
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本文介绍了微细聚焦离子束设备的系统概况,系统通过采用双透镜并行工作模式,双频激光测距工件台,离子束扫描成像等技术,使系统满足实用化的要求.
18.离子注入机主计算机控制软件设计
- 郭忠君
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：设计了一种离子注入机主计算机控制软件,用于对离子注入机进行实时监测和控制.其中主计算机与子控制器通讯是利用VB的MSComm控件来实现的;文中给出了具体程序设计方法以及数据处理的技巧,调试结果表明程序运行稳定,有效.
19.基于ARM微处理器的聚焦离子束部件调试
- 刘京威
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本文介绍了笔者使用带LPC2104(PHILIPSARM核微处理器)的EasyARM2104开发板用于聚焦离子束电中和控制部件调试的实例,并以此对ARM处理器用于半导体设备部件调试和控制作一简略概述
20.聚焦离子束诱导沉积铂的电阻率特性
- 罗强;金爱子;杨海方;顾长志
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：聚焦离子束技术常被用于集成电路的修整与失效分析,通过切断某些金属连线和诱导沉积新的金属连线来测试所设计电路的特性.在低维材料的电输运性质研究中,它也常被用于制作微电极.因此,在这些应用中,采用聚焦离子束诱导沉积的金属本身的电学性质变得比较重要.在本文中,我们采用聚焦离子束诱导沉积方法制作了不同尺寸的铂线条,并测量了其电流-电压曲线.实验结果表明,所选用的束流密度对沉积的铂的电阻率有较大影响,当选择适当的束流密度进行沉积时,可获得最小的电阻率,束流密度过大或过小都将导致其电阻率变大.
21.平行束透镜设计
- 孙雪平;郭健辉
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本文对各种平行束产生的装置进行了简要的介绍.并对我们所采取的方案进行详细的描述,其中包括平行束产生的机理、理论计算、边缘场效应的修正、磁铁的设计、线包设计以及平行束透镜电源指标的确定
22.晶片静电吸附技术
- 孙雪平;唐景庭
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本文对六相静电吸持原理进行了详细的介绍,给出了六相吸持电压的时序图、电压幅度范围、电压工作频率范围,并详细介绍了六相电源的工作原理.
23.平行束测量与束平行度矫正技术
- 孙雪平;孙勇
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本文对先扫描后加速系统的平行束测量的原理进行了详细的推导,对平行度的具体测量方法进行了详细的介绍.并介绍了如何根据测量结果对平行束透镜进行调整使之满足束平行度指标
24.注入剂量的均匀性检测和校正
- 王迪平;伍三忠
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本文介绍了离子注入机中注入剂量的均匀性检测和校正,着重阐述了均匀性的检测原理、均匀性计算公式、均匀性检测和校正流程及算法.
25.InP HEMT注入隔离技术研究
- 吴阿慧;张海明;魏碧华
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：InGaAs/InAlAs/InPHEMT是微波毫米波和光通讯系统的优选器件,台面隔离是器件制作和芯片加工中的关键工序之一,它不仅影响有源器件的直流性能和器件的射频特性.我们研究了晶格匹配的InGaAs/InAlAs/InPHEMT注入隔离技术,对注入隔离实验进行理论分析,选择适合于InP材料的离子种类,通过实验不同的注入条件如:注入能量、注入剂量;不同的退火温度、退火时间等,得到满意的台面隔离,台面上隔离度≥60V/10uA;台下隔离度≥200V/10uA.
26.结合自组装单层的亚稳氦原子光刻技术
- 巨新
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：采用不同网格尺寸的透射电镜铜网作为掩模,采用烷烃硫醇类小分子自组装单层作为光刻胶,光学质量的云母为衬底,用亚稳氦原子光刻技术制备具有纳米台阶的金膜图形.通过原子力显微镜分析,证明:这种技术可以将具有纳米台阶的正负图形可以很好的传递到金膜,具有高的可信度.同时,在不同时的实验中光刻图形的重复性很好.
27.尺寸可控的纳米硅的制备和生长模型
- 黄信凡;陈铠;刘艳松;马忠元;李伟;韩培高;张贤高;陈坤基
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：提出了在a-SiNx/a-Si:H/a-SiHx三明治结构或a-Si:H/a-SiNx多层膜结构中纳米硅成核、并且限制性生长从球形到鼓形的过程.基于经典热力学理论,建立了限制性晶化理论模型:纳米硅生长过程中界面能增大导致生长停止,给出限制性晶化条件--a-Si:H层厚度小于34nm.在激光晶化形成的SiNx/nc-Si/SiNx三明治结构和nc-Si/SiNx多层膜结构中验证了理论模型.
28.157nm光刻技术的进展
- 童志义;葛劢冲
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本文概述了作为下一代光刻技术之一的157nmF2准分子激光光刻技术的进展及各公司157nm曝光设备的开发现状.介绍了157nm光刻中各种制约因素,例如CaF2材料的双折射现象、真空环境的排气及污染控制、保护薄膜的选择、折反射光学系统的选择与设计及新型抗蚀剂的开发等问题随着时间的推进已基本得到解决.最后还讨论了157nm光刻技术在45nm及以下节点器件图形曝光引入的可能性和采用浸液式157nm光刻进入32nm技术节点器件图形曝光的潜力.
29.浸没式ArF光刻中像差对特征尺寸的影响
- 张飞;中国科学院研究生院;李艳秋
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：随着集成电路(IC)芯片制备中最小线宽的不断缩小和浸没式光刻技术的引入,像差对特征图形尺寸的影响规律需要进一步研究.在65nm分辨率节点处,分别采用传统和环形两种照明方式,讨论浸没式ArF光刻中杂散光、运动标准偏差(MSD)和光线偏振等因素作用下,像差对特征图形尺寸的影响.分析结果表明:杂散光、MSD和光线偏振等因素对像差引起线宽变化的影响明显,当杂散光量和MSD值增加或偏振方向和特征图形线条方向不平行时,像差引起线宽变化量增加.根据分析结果讨论了利用偏振光的特性降低像差对特征图形尺寸的影响程度的可行性.
- 像差;
- 杂散光;
- MSD;
- 浸没式;
- ArF光刻;
- PROLITH;
30.EUVL工件台的结构设计与优化
- 朱涛;李艳秋
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：作为极紫外光刻机的一个关键子系统,真空工件台的运行精度、速度、加速度以及动态定位和扫描同步性能是影响整机成像质量、套刻精度和产率的重要因素.对于工件台的结构设计,体积小、轻量化、好的散热性是基本要求.基于上述原因,本文设计了适用于45nm节点的极紫外光刻工件台系统,并用ansys软件对其进行了结构仿真分析.根据仿真结果,提出了优化设计方案.
31.3C-SiC薄膜的ICP刻蚀研究
- 巩全成;兰州大学物理科学与技术学院;宁瑾;孙国胜;高见头;王雷;李国花;曾一平;李晋闽;李思渊
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本文采用ICP等离子体刻蚀工艺,以CHF3、SF6和O2作为刻蚀气体,对生长在SiO2上的多晶3C-SiC膜进行了刻蚀工艺研究,得出来优化的刻蚀条件,该刻蚀条件具有较快的刻蚀速率并且可以获得较陡直的侧墙.不同的刻蚀气体对刻蚀速率有明显的影响,用纯CHF3或CHF3与O2的混合气作为刻蚀气体时,刻蚀速率较慢,相同条件下,加入SF6刻蚀速率有较大的提高,主要是由于SF6具有比CHF3高的自由[F]基生成率.用优化的刻蚀条件对用来做谐振器的多晶3C-SiC进行了深刻蚀,后用HF将SiC层下的SiO2释放掉,得到了悬空的谐振器结构.
- ICP;
- 刻蚀速率;
- 3C-SiC薄膜;
- SiO2;
- 谐振器;
32.薄膜器件牺牲层固态升华释放设备的研制
- 石莎莉;欧毅
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：牺牲层释放技术是制备薄膜器件的关键技术之一,牺牲层去除能释放表面硅工艺中的薄膜悬浮结构,或形成空腔.然而在释放过程中,多数情况下会出现粘连现象,导致结构失效.为解决该黏附问题,基于固态升华原理研制了一种牺牲层释放设备.结合牺牲层释放的特殊工艺要求,分析了其主要结构及特点.最后采用该设备对一种微机械可变衰减器进行了结构释放,实验证明该设备可以成功应用于富硅型低应力氮化硅薄膜器件的牺牲层释放工艺.
33.热处理对离子束溅射Ni-Cr薄膜性能和结构的影响
- 周继承;晏建武;南昌航空工业学院材料科学与工程系;田莉
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：采用低能离子束溅射技术制备了不同厚度的的Ni-Cr合金薄膜,并对128nm厚的Ni-Cr合金薄膜进行了快速热处理.用小角度X射线衍射,扫描电镜,原子力显微镜,α-台阶仪,四探针仪等分别测量了薄膜的结构、形貌、厚度及电子学特性.结果表明:采用低能离子束溅射技术结合快速热处理工艺可以制备性能优良的纳米Ni-Cr合金薄膜,薄膜的厚度同溅射时间成正比;经过350℃及以上温度的快速热处理后,溅射非晶态Ni-Cr合金薄膜发生晶化;128nm厚的Ni-Cr合金薄膜经不同温度的热处理处理后具有不同的表面显微形貌.Ni-Cr合金薄膜方块电阻同溅射时间成指数函数关系.薄膜方块电阻随热处理温度的升高而降低,经450℃×600S热处理后薄膜方块电阻不再变化.
34.低应力LPCVD氮化硅薄膜表面粗糙度及工艺影响因素研究
- 董立军;陈大鹏
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：用原子力显微镜对不同淀积条件下制备的低应力LPCVD氮化硅薄膜的表面粗糙度进行了测量,发现了低应力LPCVD氮化硅薄膜的表面粗糙度可以在几个纳米到几个埃之间变化.同时发现在各种工艺条件中淀积压力对低应力LPCVD氮化硅薄膜的表面粗糙度影响最为显著.
35.高选择比反应离子刻蚀(RIE)设备
- 陈特超;李军阳;禹庆荣;张冬艳;李健志;周大良;任伟;任伟
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：高选择比反应离子刻蚀(RIE)设备,主要应用于器件制造中Si、Si3N4材料的刻蚀[1].本文介绍了一种用于硅的高选择比反应离子刻蚀设备,刻蚀选择比≥5∶1.着重阐述了该设备的结构组成、工艺原理及控制方法.
36.深刻技术在微真空器件中的应用研究
- 冯进军
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：微波真空电子器件的频率正在向毫米波、亚毫米波甚至太赫兹频率扩展,随着器件频率的提高,高频结构的尺寸越来越小,传统的机械加工方法已经不能满足零部件精度的要求,需要借助微细加工技术,特别是深刻技术,如LIGA,DRIE等.本文的目的在于对目前微真空电子器件的现状进行分析,研究深刻技术在高频真空器件中的应用.
37.φ60mm×600μm硅PIN探测器的γ、n甄别能力研究
- 胡孟春;宋献才;叶文英;李忠宝;张三阳;周殿忠;楼福洪;李如荣;唐章奎;周刚
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：在γ、n混合场中测量脉冲辐射时,探测器的γ、n甄别能力是使用者特别关注的特性之一,本工作针对φ60mm×600μm硅PIN新型半导体探测器,用质能吸收系数法计算了γ灵敏度,用国外文献中提供的截面相关数据计算了中子灵敏度;对其部分能量点的γ、n灵敏度进行了实验测量检验;研究结果表明:对于6MeV以内的中子,φ60mm×600μm硅PIN探测器的γ灵敏度均高于相应能量的中子灵敏度,中子能量越低,探测器γ甄别能力越高;当γ能量为3MeV以上时,探测器的γ甄别能力均大于10.该类探测器这种特性,对于在γ、中子混合场中测量γ辐射,提高探测信噪比是有益的.
38.基于USM的精密工件台系统研究
- 姜楠;中国科学院研究生院;方光荣;刘俊标;束娜;中国科学院研究生院
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：精密工件台是电子束曝光设备中的重要部件,改进精密工件台技术可以促进电子束曝光技术的进一步发展.本文以超声电机(UltrasonieMotor,缩写为USM)技术为基础,结合超精密定位技术,设计了一个以直线型超声电机为驱动装置的、采用粗微两级定位技术的精密工件台系统,并给出了控制系统的软件流程图.
39.AutoCAD数据到掩模版图数据的转换及其速度优化
- 汤跃科;李金儒;陈宝钦
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：微光刻技术已被广泛地应用于微细加工的各个领域,通常其他领域技术人员没有采用集成电路版图设计软件生成光掩模数据,而是提供AutoCAD数据,然而AutoCAD不能直接生成光掩模制造用的版图数据,需要进行数据格式转换,而常用的数据转换软件存在着可靠性不强以及转换速度慢的缺点,因而,有必要对其进行深入的研究.本文在详细分析AutoCAD生成的图形交换格式文件(DXF文件)以及标准的掩模版图数据文件CIF格式文件的基础上,用VisualC++编写了图形界面的转换软件.然后根据转换实验,发现DXF文件输入和数据的初始化是程序运行速度的瓶颈和出错的多发地带,并针对此做出了改进.实验证明:改进输入与初始化算法能极大的提高转换效率.
40.离子轰击对碳纳米尖端结构的影响
- 王必本;徐幸梓;张兵
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：CH4、NH3和H2为反应气体,利用负偏压增强热丝化学气相沉积系统在无和有辉光放电的条件下制备了不同结构的碳纳米尖端,并用扫描电子显微镜和显微Raman光谱仪对碳纳米尖端进行了研究.结果表明碳纳米尖端是石墨结构,在有辉光放电时,能够形成顶角较小的碳纳米尖端.根据有关等离子体和溅射的理论分析,在有辉光放电时能够形成顶角较小的碳纳米尖端是由于离子的溅射刻蚀所致.
41.SiC芯片在片测试分析
- 王同祥;王生国;李亮;潘宏菽
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本文对利用电子束、离子束技术研制的SiC芯片进行了S参数在片测试方法研究,利用ADS2003软件,编写优化方程进行仿真,准确计算出SiC器件的单向功率增益Gu、共源电路短路下的电流增益H21,介绍了两种方法计算得出SiC器件的fT=6.7GHz、fmax=25GHz.
42.Ta反应离子刻蚀特性的研究
- 赵玉印;杜寰;韩郑生
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：人通过应用SF6、C12、O2、He2、CHF3等不同比例的混合气体的反应离子刻蚀技术,对金属钽Tantalum(Ta)薄膜的刻蚀特性进行了研究.实验表明:在射频功率为200W、电极间距为9mm、工作压力为190mtorr,SF6和C12的流量分别为20sccm和30sccm的条件下,可以获得高达21.7nm/s的刻蚀速率.原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)表明:在其它条件下不变的条件下,通过降低工作压力可以获得陡直刻蚀图形.在用混合气体SF6、O2的反应离子刻蚀时,适量的氧气可以提高薄膜的刻蚀速率.
43.串级温控系统在液相外延炉中的应用
- 罗卫国;罗亮
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：半导体工艺中的扩散、氧化、外延等工艺对温度的要求均十分严格,特别是液相外延,不仅要求控温精度高、单点稳定性好,而且在工艺过程中还要求恒温区能够随工艺过程实现平移,并且要求温度过冲小、稳定快.内、外热偶串级温度控制技术由于采用的是以工艺片附近真实工艺温度为控制对象,配以全工艺温度段的PID参数优化组合、跟踪调节运用,从而克服了常规温控方式在温度变化时反应滞后、温度波动大的缺点,以其精确控制和快响应速度较好地实现了热场的高精度、高稳定性.
44.25-33GHz单片低噪声放大器的研制
- 王民娟
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：我们设计制作的25-33GHz单片低噪声放大器,采用电子束制作0.20μm"T"型栅,在频带内的噪声系数小于2.3dB,小信号增益大于15dB,增益平坦度小于±0.5dB,输入和输出驻波比分别小于2,芯片尺寸为3.0×1.9×O.1mm3,微波性能与国外同类产品水平相当.
45.适应现代集成电路制造的离子注入技术与装备
- 唐景庭
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本文简述了现代集成电路制造工艺的发展状况,并详细论述适应现代集成电路制造工艺的离子注入技术特点和发展趋势;以及简要介绍了国内外主流的离子注入装备及特点.
46.微光刻与微纳米加工技术
- 陈宝钦;胡勇;龙世兵;陆晶;杨清华;张立辉;范东升;康晓辉;牛洁斌;刘明;薛丽君;李金儒;汤跃科;赵敏;刘珠明;王德强;任黎明
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术研究室拥有一个由美国GCA3600F图形发生器、GCA3696分步重复精缩机、日本JEOLJBX6AⅡ电子束曝光系统和JEOLJBX5000LS电子束光刻系统及美国应用材料公司捐赠的ETECMEBES4700SE-BeamPatternGeneratorSystem组成的微光刻技术实验室.为满足科研和生产的需要,我们长期以来一直开展微光刻技术和微纳米加工技术的研究,并取得了很好的应用效果.本文主要介绍如下研究工作:(Ⅰ)我国微光刻技术和微纳米加工技术的发展历程;(Ⅱ)光学光刻分辨率增强技术的研究;(Ⅲ)电子束曝光技术的研究;(Ⅳ)微光刻技术图形数据处理及数据转换体系研究;(V)下一代光刻技术掩模制造技术的研究;(Ⅵ)纳米结构图形加工技术的研究.这些技术已广泛地应用于我国需要进行微制造和微纳米加工技术的各个领域,我们应用这些技术实现了20nm线条曝光、研制成功27nmCMOS器件及50nm单电子器件的演试、100nmHEMT器件和其他纳米结构的制造.
47.分辨率增强技术在65 nm-45 nm ArF光刻中的应用
- 李艳秋;张飞;中国科学院研究生院
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本文介绍了分辨率增强技术(RET)对65nm-45nmArF光刻性能的影响.通过某种RET技术或它们的结合应用,利用PROLITH和自主开发的光刻仿真软件MicroCruisor,分析了全曝光场内,像差、杂散光、偏振、掩模误差因子、工件台同步运动精度(MSD)等,对不同密度线条光刻性能的影响.结果表明,考虑IC制造实际条件的诸多影响因素后,在一定的焦深内获得满足光刻性能要求的图形,必须重新优化所使用的RET,同时需要光刻设备、掩模、IC设计、工艺和相关RET等的协同设计研制.
48.纳米印刻技术及其应用
- 刘泽文
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：纳米印刻技术在未了IC电路和纳米器件制作中有重要的应用前景.本文对纳米印刻技术及其应用研究进行了简要回顾,分析了纳米刻印技术的主要过程以及其中的关键问题,
49.电子束液态曝光技术研究
- 孔祥东;张玉林;卢文娟
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：了可用于微机电系统加工的细电子束液态曝光技术.对该工艺的曝光方式、真空度需求、抗蚀剂选择以及能量和剂量需求等问题进行了研究.在此基础上,采用SDS-Ⅱ型曝光机在5×10-3Pa的系统真空度、25kV加速电压、3μC/cm2曝光剂量的条件下,成功地固化了3μm厚的环氧618液体,给出了固化图片.
50.CIF格式中圆形切割成3600格式中矩形的算法研究
- 李金儒;汤跃科;陈宝钦
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本文介绍了几种CIF格式中圆形切割成PG3600格式所需矩形的算法,并对几种算法从数据大小、重复曝光和算法难易方面进行了比较分析,最后为编写格式转换软件找出了最优的算法.
51.电子束制作3mm器件0.1μm T型栅的研究
- 刘玉贵;罗四维;王维军;丁奎章
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本文报导了用电子束制作3mm器件研制中0.1μmT型栅的工艺技术,重点介绍SiN介质加胶这种结构的工艺研究、优缺点及应用水平.
- 电子束;
- T型栅;
- 氮化硅;
- 胶;
- SiN介质;
52.光学掩模电子束曝光过程的温升有限元模拟
- 欧毅;王冠亚
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本文模拟和讨论当光学掩模在电子束曝光过程中由于电子束能量沉积所引起的光刻胶及衬底的温度变化.模拟采用6英寸的石英掩模,PMMA光刻胶.从极限的情况入手,取80*80mm2的完全图形区域进行大面积曝光,此时整个掩模的温升是最大的.模拟过程中考虑光刻胶、衬底之间及与周围环境之间的热对流,不考虑光刻胶对周围环境的热辐射效果,因为实际上辐射的影响是很小的[1].经过模拟给出了曝光过程中某些特殊点的温升.
53.电子束制作高分辨率波带片
- 王德强;谢常青;叶甜春
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：建立应用于波带片制作的微光刻图形数据模型,给出了数据量和份数的变化关系.并对于电子束制作过程中遇到的"鼓包"、数据丢失以及场拼接的情况进行了分析,最终制作出了最外环宽度是250nm的波带片.
54.新型电子束曝光机的对准软件设计
- 张今朝;方光荣
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：介绍了基于扫描电镜的电子束曝光机的对准软件设计,详细分析了此类曝光机对准系统的设计方案,软件设计结构以及扫描场的校正过程.
55.利用LTCC技术设计矢量调制器
- 李玉茹;郝金中;金华江
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本文使用LTCC(低温共烧陶瓷)技术来设计I-Q矢量调制器,此调制器具有插入损耗小,相位精度高等特点.它的外形比同样性能的覆铜板微带矢量调制器小许多,装配也较为方便,符合系统整合的概念.
56.毫米波四位数字移相器
- 郝金中;周玉梅
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本文以Ka波段数字移相器的设计为例,经过分析和实验研究,采用表面贴装工艺,通过开关移相方式,实现了在毫米波的频率工作的四位数字移相器.此移相器具有低插入损耗、低相位误差以及电压驻波小等特点.
57.正性电子束抗蚀剂ZEP-520低能电子束曝光研究
- 杨海方;金爱子;罗强;顾长志
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本文对正性电子束抗蚀剂ZEP-520低能(0.5kev～2keV)电子束曝光特性进行了系统的研究.利用180nm厚的ZEP-520抗蚀剂,研究了低能范围电子穿透深度及曝光特性与电子束能量的关系.发现加速电压在5-20kev之间,ZEP-520抗蚀剂的对比度随加速电压的增加基本保持不变,临界曝光计量(D100)与加速电压成线性关系.同时,研究了不同加速电压对180nm厚的ZEP-520抗蚀剂的加工能力,在10keV-20kev加速电压下得到了线宽小于30nm,周期为80nm的光栅结构.
58.SIMOX SOI晶片顶层硅、埋层厚度及均匀性的分析研究
- 贾京英;伍三忠;乔思雄;廖炼斌
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本文对SIMOXSOI材料的顶层硅和SiO2埋层的厚度及均匀性进行了分析计算,并对注入过程中影响注入能量和剂量的参数进行了改进和控制,结果表明,有效地保证了材料中顶层硅和SiO2埋层的厚度及均匀性的指标.
59.液态金属离子源发射系统的仿真分析
- 马向国;中国科学院研究生院;顾文琪
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：发射系统是液态金属离子源的关键部件之一,它的性能的优劣直接影响到整个离子源的工作稳定性和可靠性.因而对其发射系统进行仿真分析,可以很好地指导液态金属离子源的设计制造.本文采用国际上普遍承认的动态喷流柱模型,利用模拟电荷法对液态金属离子源的发射系统的电场进行了计算分析,画出了发射尖端电场强度随不同参数变化的曲线,得出发射尖端表面场强与球冠半径、发射体突出臂长度密切相关,而与引出电极的结构关系甚小的结论,因此液态金属离子源发射特性(如角电流强度)的改善,必须在发射尖的设计制作上下功夫.从而为液态金属离子源的设计提供了一个有效的辅助工具.
60.强流离子注入机防晶片电荷积累设计
- 宁宗娥;佘鹏程
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本文分析了离子注入机中晶片电荷积累的原因及影响,讨论了几种中和方法,并利用电子中和技术原理,设计了电子淋浴器,实际应用于强流离子注入机.改善了晶片上的电荷积累.
61.热阴极离子源弧流自动调节电路
- 宁澍;杨健生;孙雪平
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本文介绍了具有弧流自动调节电路的弧流自动调节系统,并就其在引束过程中可以方便地设定弧流并获得稳定弧流作一阐述.
62.离子束材料改性技术及其应用
- 束娜;中国科学院研究生院;方光荣
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本文简要介绍了材料表面改性用离子注入技术的机理和特点,综述了该技术在提高工件强度和硬度,改善磨损性能,降低摩擦系数等方面的用途,同时介绍了离子束实现材料表面改性技术在各个领域的应用概况,给出了部分较新的研究应用实例.文章对离子束技术未来的发展方向进行了分析和展望.
63.聚焦离子束设备的真空系统
- 宋秀云;张彬庭
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：简要介绍了聚焦离子束技术的应用范围和作用,综述了真空系统在聚焦离子束设备中的重要作用,聚焦离子束设备真空系统的主要组成以及设备达到的真空度.
64.具有分流泄放功能的离子注入机减速电源
- 何学飞;刘嘉宾;杨建生
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本文介绍了减速电源的工作原理,着重描述如何采用高压电子管作为泄放开关,自动检测并泄放减速电极上产生的累积电荷.这一措施有效地保护了减速电源内部元器件的安全,增强了减速电源的可靠性,同时减小了低能注入中产生的能量污染.
65.氧离子注入机大功率引出电源的研制
- 杨建生
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本文作者通过研制三相高频开关电路和三相对称倍压电路,解决了氧离子注入机引出电源输出高压大功率的问题.在动态负载工作条件下,其额定输出为55kV、150mA,工作频率为30KHZ.该电源的研制成功为高频高压直流电源在半导体设备及其它领域的应用打下了良好的基础.
66.浅谈氧离子注入机高温靶室的热设计
- 刘咸成;王慧勇;王学仕
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本文从原理上阐述氧离子注入机高温靶室对制作SOI材料的要求,分析晶片加热途径和热传递方式,对晶片注入高温区结构和热源进行热设计,探讨高温靶的防污染及提高加热效率的方法与途径.
67.聚焦离子束刻蚀技术在制作检测DNA分子纳米孔中的应用
- 岳双林;金爱子;顾长志
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：利用纳米孔研究DNA生物大分子是一个非常活跃的研究领域.由于聚焦离子束在微纳加工方面的独特优势,可以被用来加工这种纳米孔.为了控制加工的可重复性,本文对不同离子束流以及点覆盖率和点停留时间加工绝缘材料Si3N4的实验条件进行摸索,结果发现采用增强刻蚀模式的刻蚀速率最快.采用370pA的离子束流,其刻蚀速率可达0.164μm3/s.实验选取刻蚀速率适中的普通刻蚀模式进行系统研究,发现加工最大深宽比可达5以上.结合再沉积绝缘薄膜的辅助技术得到了直径为20nm的纳米孔.
68.长寿命间热式阴极离子源
- 戴习毛;刘恺;伍三忠;龙会跃
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本文介绍一种最新开发应用于100nm大角度离子注入机的长寿命离子源,该离子源最主要特征是采用间热式阴极代替传统的热灯丝阴极发射电子.同时根据工业化离子注入机实用性要求系统介绍离子源使用寿命、引出束流、多电荷离子产额、束稳定性能以及更换气体时束调整时间等参数在实际应用中的测试结果;结果表明:该离子源具有使用寿命长、引出束流和多电荷离子产额高、束稳定可靠、束调整响应时间快等实用性能好的特点,能满足工业化生产离子注入机的实用性要求.
69.激光熔覆技术的研究
- 林树忠;曹文杰;孙宽
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：综述了用解析法和数值模拟计算法分析测量的激光熔覆研究理论;激光器、导光系统、供料设备、工艺反馈系统等激光加工设备;各种材质,不同性能的激光熔覆材料;激光熔覆工艺参数及多道搭接技术对激光熔覆质量的影响;激光熔敷的工业应用及其发展方向.
70.应用激光技术进行继电器簧片气隙的校正
- 宋文荣;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所博士后流动站;郭满金;郭凡林
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：以国产某型号继电器为例,测试了其簧片气隙的大小和分布情况;利用继电器金属簧片进行了大量的校正测试,测试结果表明校正量h与激光测量点到激光校正点的间距x2成正比例线性关系,激光功率越大、照射时间越长,校正系数值越大,获得的校正量也越大.分析和计算证明,选择合适的激光功率与时间参数,利用激光对该继电器的簧片气隙进行校正是可行的;结合气隙大小的测试数据分析可知,生产线上绝大多数继电器的簧片气隙调整只需通过静簧片的激光校正就能得以实现,与手工校正相比将具有较高的校正效率.
71.北京同步辐射LIGA技术深度光刻技术研究
- 伊福廷;张菊芳
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：深度光刻技术是LIGA技术的关键和核心,该技术的研究是一个综合过程,包括光源性能,曝光设备性能,光刻胶性能,显影技术等多方面的影响.本文通过对光源性能的研究和光刻胶性能的研究,探讨北京同步辐射深度光刻的潜能,挖掘出LIGA技术的深度光刻能力,满足各方面对LIGA技术的需要.
72.EUV掩模板热变形及其对光刻性能影响
- 周鹏飞;李艳秋
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：极紫外光刻中掩模板热变形是不可忽略的.本文采用有限元方法,针对工业化生产条件(80wafer-per-hour)计算掩模板热变形.抗蚀剂感光度为7mJ/em2时,x-y平面内最大变形为1.6rm,z方向最大变形为0.27nm.掩模板热变形引起掩模图形偏移,最大偏移为1.6nm.经过曝光显影,对于45nm密集线,掩模板热变形引起抗蚀剂图形的CD变化0.06nm、侧壁角度变化1.78°、抗蚀剂图形最大偏移0.35nm.对于45nm半密集线,抗蚀剂图形的CD变化0.2nm、侧壁角度变化2.5°、抗蚀剂图形最大偏移0.45nm.
73.SiOx薄膜的制备及发光特性研究
- 李群;梁坚;吴雪梅;诸葛兰剑
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本论文采用双离子束溅射沉积技术制备了非晶的Si-SiO2薄膜,XPS的测试表明Si是以单原子或低价氧化物的形态存在于薄膜内;在波长为240nm紫外光的激发下,室温及1000℃退火后Si-SiO2薄膜的PL谱图显示样品中存在峰位分别处于320nm,410nm,560nm,630nm四个相互分离的峰,其发光机制分别为来自中性氧空位缺陷(≡Si-O-O-Si≡2)、双配位硅悬挂键(O-Si-O)、非桥氧空位中心以及其他缺陷所形成的发光中心.
74.我国MOCVD技术发展战略思考
- 袁章其;伍波;龚杰洪
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：金属有机物化学气相淀积(Metal organic Chemical Yapor Deposition)简称MOCYD,1968年由美国洛克威公司的Manasevit等人提出制备化合物单晶薄膜的一项新技术。到80年代初得以实用化，经过近20年的飞速发展，成为目前半导体化合物材料制备的关键技术之一。介绍了MOCVD技术及其发展的必要性、发展趋势、发展战略思考。
75.溅射Ni-Cr薄膜电阻的研究
- 王峰;陈桂梅;张丽;张丽娟;袁凯
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：可编程的只读存取器(PROM)作为一次性写入存储器,由于其内容不可擦出,稳定性好,被广泛应用于高可靠性领域.而熔丝型PROM是只读存储器的一种,它是通过熔断熔丝来实现编程的,因此镍铬熔丝的质量直接影响存储器的性能.本文通过试验的数据介绍采用磁控溅射制备Ni-Cr薄膜的方法,并通过光刻、腐蚀等试验,找到最佳的腐蚀条件,得到符合要求的Ni-Cr薄膜.
76.等离子体刻蚀技术在深亚微米阶段面临的挑战
- 张庆钊;李兵;谢常青;刘明
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本文主要就等离子体刻蚀技术进行了轮廓性的描述,阐述了在集成电路的深亚微米加工阶段其所面临的挑战与发展。
77.双层侧壁保护的硅深槽刻蚀工艺技术研究
- 邓建国;刘英坤;张振宇;苏丽娟;段雪
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本文介绍一种先进的ICP硅深槽刻蚀工艺,在刻蚀周期中引入少量的O2,形成由CFx聚合物淀积和氧离子幅照产生的双层保护层,强烈保护硅槽侧壁不被刻蚀,保证了高的各向异性刻蚀,有效的改善了硅深槽侧壁形貌,使得侧壁平坦光滑.
78.大圆片上精细图形多层难熔金属刻蚀技术研究
- 段雪;邓建国;刘英坤;王书明;苏丽娟;韩东;林率兵
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本文分析了用反应离子刻蚀系统(RIE)刻蚀多层难熔金属的可行性,研究了用下电极表面材料为阳极氧化铝的RIE连续刻蚀Au、Pt、W、Ti四层难熔金属的刻蚀技术.通过实验证明了阳极氧化铝经氩离子轰击后,在用SF6和CF4等离子体刻蚀W、Ti过程中对聚合作用有不同程度的影响,在SF6等离子体中会加剧聚合作用,形成大量聚合物,而在CF4等离子体中则影响较小,发生的聚合作用较弱.提出了在以阳极氧化铝为下电极表面层的RIE中,依次用Ar、CF4和CF4+O2作刻蚀气体连续刻蚀Au、Pt、W、Ti四层金属的新刻蚀技术,较好地实现了大圆片上具有亚微米图形Au、Pt、W、Ti四层结构的难熔金属电极刻蚀.
79.溅射技术在LTCC基板上的应用
- 胡骏;欧光文
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本文采用溅射法在LTCC基板上沉积金属层,从而克服了LTCC基板微带线耐焊性差及附着力差的缺点,实践效果较好.
- LTCC;
- 溅射;
- 耐焊性;
- 附着力;
80.反应离子刻蚀在高频声表面波器件中的应用研究
- 姜红;陈志一
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：高频声表面波器件制作成声表面波器件的特点,对影响刻蚀的主要工艺参数进行了较深入的研究,并应用于660MHz高频声表面波器件的制备,使其电性能及成品率改善明显,其中成品率从30﹪提高到60﹪以上.
81.ICP刻蚀在SiC MESFET中的应用
- 李亮;潘宏菽
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本文通过大量的实验,摸索到了一种采用感应耦合等离子体刻蚀(inductivelycoupledplasma,ICP)的工艺条件实现SiC材料腐蚀,腐蚀后样片的表面粗糙度达到1nm以下,腐蚀速率超过200nm/min.采用该工艺条件制作的SiCMESFET样管,跨导最大达到25ms/mm.
82.一种实用的TTL-ECL电平转换集成电路
- 田国平;王俊华;朱思成
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：TTL-ECL电平转换集成电路是将输入的TTL电平信号转换成ECL电平输出信号的器件.国外多家公司均生产该器件,如MOTOROLA、MAREL、NATIONALSEMICONDUCTOR等公司,分为10K和100K两种系列,转换速率在400MHz.本文叙述了采用GaAsMESFET研制的电平转换器件,具有与TTL信号和ECL信号良好的接口能力、速度快的特点,速度可以达到700MHz,该器件制造过程中采用全离子注入、大面积平坦化互连等工艺技术.与国外100K系列的转换电路相比,GaAs电平转换电路性能指标优于国外系列电路,并且具有更高的可靠性.
83.太赫兹速调管——一种新型的微加工电真空器件
- 王勇
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：人们早就认识到,如果将现有的速调管(一种微波电真空器件)缩尺到微米量级,就可以产生太赫兹(THz)辐射.然而,由于传统加工技术的限制,无法制造出微米量级的谐振腔和微型的能发射极高电流密度的阴极,而使THz速调管的研究一直停滞不前.近年来,随着微加工技术的发展,上述两个技术瓶颈已相继得到解决,此项研究又重新被人们所重视,并发展成了一个很热门的研究课题.本文详细地介绍了这种新型的微加工电真空器件--THz速调管的工作原理、THz速调管谐振腔和场致发射碳纳米管冷阴极的微加工方法等.
84.CMP晶片运送的升降系统设计
- 朱宗树;成秋云;龙剑;程远贵
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：本文提出一种新型CMP晶片运送升降系统的构思并设计出了一套升降机构,该机构主要是由电机、汽缸、皮带轮及导轨组成;完成了该系统的动作试验,并处理了该试验数据,认为该升降系统的动作精度及稳定性能满足CMP中的要求.
85.纳米压印技术的图形精度分析
- 司卫华;中国科学院研究生院;董晓文;中国科学院研究生院;顾文琪
- 《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》 | 2005年
摘要：纳米压印技术可实现纳米结构的图形转移,具有分辨率高、效率高、成本低的优点.通过对纳米压印过程中影响图形精度的一些因素进行分析,提出了相应的解决方法.利用研制的NIL-01型压印机进行工艺实验,给出纳米压印工艺实验的结果,并对结果进行了分析.采用镀有Cr的石英玻璃模版,在NIL-01型压印机上,用热压印技术可以压印出具有100nm特征尺寸的PMMA图形.