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高选择比反应离子刻蚀(RIE)设备

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高选择比反应离子刻蚀(RIE)设备,主要应用于器件制造中Si、Si3N4材料的刻蚀[1].本文介绍了一种用于硅的高选择比反应离子刻蚀设备,刻蚀选择比≥5∶1.着重阐述了该设备的结构组成、工艺原理及控制方法.

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来源
《第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会》|2005年|346-350|共5页
会议地点长沙
作者
陈特超; 李军阳; 禹庆荣; 张冬艳; 李健志; 周大良; 任伟; 任伟;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN405.983;
关键词
RIE; 刻蚀; 工艺原理; 高选择比;
入库时间 2022-08-17 10:49:46

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