机译:电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP-RIE)的多晶金刚石表面形貌演变
Univ Sci & Technol Beijing Inst Adv Mat & Technol Beijing 100083 Peoples R China|Univ Leicester Dept Engn Leicester LE1 7RH Leics England;
Univ Leicester Dept Engn Leicester LE1 7RH Leics England;
Univ Sci & Technol Beijing Inst Adv Mat & Technol Beijing 100083 Peoples R China;
Polycrystalline diamond; Plasma etching; X-ray techniques; Raman; Structural;
机译:电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP-RIE)的多晶金刚石表面形貌演变
机译:用于3D-IC封装应用的电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP-RIE)对玻璃通孔(TGV)工艺制造的研究
机译:通过电感耦合等离子体反应离子刻蚀在金刚石表面上快速平滑
机译:通过电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP-RIE)和Ⅲ-Ⅴ材料的原子层刻蚀(ALE)进行低损伤刻蚀,以实现下一代器件性能。
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:不同氟基混合气体使用电感耦合等离子体干法刻蚀钛酸钡薄膜的比较分析
机译:在浮动电位的电感耦合等离子体蚀刻期间GaAs(100)表面的形态学演变
机译:电感耦合等离子体反应离子蚀刻(ICp-RIE):用于高分辨率图案转移的纳米加工工具