70纳米多晶硅栅刻蚀－氟化+反应离子刻蚀方法

摘要

一种70纳米多晶硅栅刻蚀-氟化+反应离子刻蚀方法，本方法包括：步骤一：采用氟化处理技术，CF₄气体在低功率下于射频电场中电离形成等离子体，激活的氟和氟碳基与光刻胶表面反应后，提高了胶的软化温度，使在烘烤过程中，在胶表面形成一层硬壳保护层，防止了胶的变形和流动，从而获得了高的图形保真度，并提高了胶抗蚀的能力。步骤二：采用70纳米电子束胶图形的转移技术；利用四步刻蚀工艺，优化各种刻蚀参量，使在现有0.5μm工艺水平的刻蚀机LAM Rainbow4420完成了70nm(0.07μm)工艺水平的超微细加工，不仅获得了极好的各向异性刻蚀剖面，同时获得了高的选择比，实现了高保真度的图形转移。同时具有成本低和工艺简单的优点。