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一种纳米线宽多晶硅栅刻蚀掩膜图形的形成方法

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一种纳米线宽多晶硅栅刻蚀掩膜图形的形成方法，其主要步骤如下：(1)在超薄栅介质上淀积多晶硅，然后淀积TEOS SiO₂薄膜；(2)光刻栅图形；(3)胶的灰化；(4)氟化和烘烤；(5)反应离子腐蚀TEOS SiO₂；(6)去胶清洗；(7)湿法化学腐蚀TEOS SiO₂，达到需要线宽止。本发明可制备15-50纳米线宽的多晶硅栅刻蚀掩膜图形。

著录项

公开/公告号CN100342497C

专利类型发明授权
公开/公告日2007-10-10

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院微电子研究所;
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申请/专利号CN200410047532.7
发明设计人徐秋霞;钱鹤;刘明;赵玉印;
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申请日2004-05-21
分类号H01L21/28(20060101);H01L21/027(20060101);H01L21/336(20060101);H01L21/8234(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周长兴
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2022-08-23 08:59:48

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-05-07

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/28 授权公告日:20071010 终止日期:20180521 申请日:20040521

专利权的终止
2013-04-17

专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/28 变更前: 变更后: 登记生效日:20130329 申请日:20040521

专利申请权、专利权的转移
2013-04-17

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/28 变更前: 变更后: 登记生效日:20130329 申请日:20040521

专利申请权、专利权的转移
2007-10-10

授权

授权
2007-10-10

授权

授权
2006-01-18

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-01-18

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-11-23

公开

公开
2005-11-23

公开

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