无掩膜激光辅助刻蚀GaAs图形中的衍射条纹分布

摘要

以菲涅耳直边衍射理论为基础,通过大量实验;对影响激光辅助化学刻蚀图形效果最为明显的直边、宽缝和交叉三种衍射行为进行研究;获得了光强分布与衍射腐蚀条纹分布的主要特性。实验表明,直边衍射的衍射腐蚀深度最大值位于直接照明区,微微偏离阴影边区域;缝宽对宽缝衍射的腐蚀条纹特性有较大影响;交叉衍射时,受GaAS晶体取向影响,其刻蚀条纹分布不完全对称。