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李祥;
无;
RMOS器件; 硅槽; 刻蚀; 多晶硅栅;
机译:多晶硅-(0.8)Ge_(0.2)-门控NMOS器件的多晶硅栅耗尽效应降低的观察
机译:多晶硅栅刻蚀的硅凹陷:离子辅助氧扩散增强了损伤
机译:一种提取多晶硅栅MOS结构中靠近氧化物的多晶硅和硅表面层中平均掺杂浓度的简单方法
机译:使用Si_2H_6和B_2H_6混合气在RTCVD系统中沉积有原生硼掺杂多晶硅和多晶硅栅极的MOS器件的比较
机译:深度反应离子刻蚀的单晶硅器件的热迁移结隔离及其在惯性导航系统中的应用。
机译:金属辅助化学刻蚀制备纳米结构黑硅的增强光吸收率及器件应用
机译:多晶硅-Si0.8Ge0.2门控NMOS器件降低的多晶硅栅极耗尽效应的观察
机译:氢在多晶硅栅mOs器件中辐射诱导缺陷形成中的作用
机译:通过同时在薄栅氧化层上刻蚀多晶硅来制造多晶硅发射极和多晶硅栅的方法。
机译:利用薄氧化硅上的多晶硅相同刻蚀法制造多晶硅发射极和多晶硅栅的方法
机译:通过在薄氧化膜上刻蚀多晶硅形成多晶硅发射体和多晶硅栅的方法
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