首页> 中文期刊> 《微细加工技术》 >RMOS器件中硅槽及多晶硅栅的刻蚀

RMOS器件中硅槽及多晶硅栅的刻蚀

         

摘要

RMOS(Rectangular Grooved MOS)器件因具有独特的性能而得到较好的应用。本文介绍用RIE设备进行RMOS器件硅槽刻蚀的工艺,并对填满硅槽内的多晶硅栅的刻蚀亦作了研究。选择适当的工艺条件,可刻蚀出形貌较好的硅槽,并可在刻蚀完多晶硅后保持硅槽内多晶硅栅形貌完好 。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号