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缩略语对照表
第一章 绪论
1.1 功率VDMOS器件重要性
1.2 功率VDMOS市场应用及需求
1.3 多晶硅刻蚀对功率VDMOS器件关键参数Vth和IGSS影响
1.4 论文的研究目标与章节安排
第二章 VDMOS器件中多晶硅干法刻蚀工艺应用及要求
2.1 VDMOS器件中多晶硅干法刻蚀膜层结构
2.2 多晶硅和硅刻蚀工艺及品质因素
2.3 终点检测系统
2.4 AMATP5000多晶硅干法刻蚀设备
2.5 测试仪器
第三章 VDMOS 器件多晶硅刻蚀不净问题影响及优化
3.1 多晶硅刻蚀不净对IGSS参数影响
3.2 VDMOS多晶硅刻蚀不净优化实验设计
3.3 本章小结
第四章 VDMOS器件多晶硅刻蚀角度提升优化
4.1 多晶硅刻蚀角度与阈值电压Vth 参数的相关性
4.2 多晶硅刻蚀角度稳定性控制
4.3 多晶硅刻蚀角度的提升实验
4.5 本章小结
第五章 总结
参考文献
致谢
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