声明
第一章 绪论
1.1半导体概述
1.2外延层简介
1.3 VDMOS场效应管用外延片
1.4 外延生长设备
第二章 外延层生长工艺
2.1 外延层生长概述
2.2 外延层生长动力学过程
2.3 工艺参数对生长速率的影响
2.4 外延层工艺流程
2.5 外延层生长所要用到的气体
第三章 外延层的生长控制
3.1 外延层的缺陷控制
3.2 外延层厚度控制
3.3 外延层电阻率控制
第四章 外延层的参数一致性控制
4.1 实验材料及设备
4.2 外延生长工艺
4.3 厚度均匀性控制
4.4 电阻率均匀性控制
4.5 过渡区控制
4.6 晶体结构完整性控制
第五章 总结与展望
5.1 总结与讨论
5.2 工作展望
参考文献
致谢