机译:沉积率对等离子体增强CVD外延硅结构性能的影响
机译:各种衬底材料对等离子体增强化学气相沉积沉积的非晶硅氮氧化物薄膜微观结构和光学性能的影响
机译:薄膜纳米晶体硅特性对射频等离子体增强化学气相沉积(rf PECVD)参数的敏感性
机译:来自三氯硅烷的血浆增强CVD的太阳能电池硅膜的高速率沉积
机译:欧姆金属和氧化物沉积对碳化硅衬底上多层外延石墨烯的结构和电性能的影响。
机译:CVD石墨烯上等离子增强化学气相沉积法制备的无转移反型石墨烯/硅异质结构
机译:在低衬底温度下通过射频等离子体增强化学气相沉积法沉积的掺杂非晶硅和纳米晶硅的电子和结构性质
机译:通过远程等离子体增强化学气相沉积(远程pECVD)生长的非晶硅合金中缺陷产生的基础研究。年度分包合同报告,1990年9月1日 - 1991年8月31日