退火对UHVCVD外延生长锗硅碳三元合金的影响

摘要

采用傅立叶红外吸收光谱 (FTIR)和X射线衍射 (XRD)研究了超高真空化学气相沉积外延生长的Si1 -x - yGexCy三元合金的热稳定性。在比较高的退火温度下 (95 0℃或以上 ) ,Si1 -x -yGexCy中的替代位的C逐渐形成SiC沉淀 ,减弱了应变的补偿作用 ,从而增大了合金中的应变 ,显示出不同于Si1 -xGex的弛豫行为。