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王亚东; 王龙成;
浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江杭州;
SiGeC合金; 半导体器件; 三元合金; 半导体材料;
机译:直接在硅上沉积的锗碳薄层用于金属氧化物半导体器件
机译:直接在硅上生长的锗碳合金薄层,用于金属氧化物半导体器件应用
机译:应变和成分对硅锗锡锡三元合金拉曼振动模态的影响
机译:用于金属氧化物半导体器件的硅上的锗碳薄层
机译:硅/硅(1-y)碳(y)和硅/硅(1-x-y)锗(x)碳(y)异质结构的能带工程及其在PNP异质结双极晶体管(碳化硅,碳化硅锗)中的应用。
机译:用于纳米电子器件应用的基于硅和锗的金属核/壳纳米线
机译:错误:“硅 - 锗锡三元合金的拉曼振动模式的菌株和成分效应”苹果酱。物理。吧。 103,263103(2013)
机译:用于光电器件的硅锗碳合金(FY91 aasERT)
机译:碳化硅-锗-体积混合晶体的生长包括通过升华和蒸发由包含硅,碳和锗的两种原料生产硅,碳和锗气相
机译:硅锗碳三元混晶的生产方法及硅锗碳三元混晶膜
机译:硅/锗/碳三元素混合晶体膜和硅/锗/碳三元素混合晶体膜的形成方法
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