机译:辐射对退火过程中碳和氧杂质行为的影响以及锗在切克劳斯基生长的硅中的作用
Solid State Physics Section, University of Athens, Panepistimiopolis Zografos, Athens 157 84, Greece;
Solid State Physics Section, University of Athens, Panepistimiopolis Zografos, Athens 157 84, Greece;
Ioffe Physicotechnical Institute of the Russian Academy of Sciences. Politeknicheskaya ul. 26, 194021 St. Petersburg, Russia;
Kumamoto National College of Technology, 26592, Nishigoshi, Kumamoto 861-1102, Japan;
机译:红外层析成像技术评估n型切克劳斯基硅中光伏氧析出行为:碳浓度和退火工艺条件的影响
机译:锡杂质对切克劳斯基硅中低温热氧供体的生成和退火的影响
机译:锗掺杂对硅中氧碳杂质及杂质相关配合物行为的影响
机译:锗掺杂对硅中氧碳杂质及杂质相关配合物行为的影响
机译:碳和氧杂质对硅电性能的影响。
机译:恢复机制和氧气作用对果蝇成熟男性和受精女性治疗精子放射敏感性变化的作用
机译:氧或氖原子注入并退火后,通过直拉法或浮区法生长的硅晶体的结构完善变化