机译:氧或氖原子注入并退火后,通过直拉法或浮区法生长的硅晶体的结构完善变化
机译:Czochralski单晶棒生长的浮区硅片中长时间高温退火造成的沉淀
机译:生长气氛和铱污染对浮区和切克劳斯基方法生长的La {sub} 3Ta {sub} 0.5Ga {sub} 5.5O {sub} 14单晶电性能的影响
机译:生长气氛和铱污染对浮区和切克劳斯基方法生长的La3 sub> Ta0.5 sub> Ga5.5 sub> O14 sub>单晶电学性能的影响
机译:退火对液封直拉法生长的InP单晶的影响
机译:浮区法生长的掺稀土Y3Al5O12单晶和透明陶瓷的光学性质
机译:浮区法生长的氧化亚铜晶体中的氧化铜夹杂物
机译:在植入氧气或氖原子后,Czochralski或浮区方法种植的Si晶体的结构完美变化,然后进行退火
机译:Czochralski法生长晶体温度分布的模拟