一种8英寸VDMOS功率管用硅外延片的制造方法

摘要

本发明公开了一种8英寸VDMOS功率管用硅外延片的制造方法，包括步骤：（1）选用掺As衬底，衬底电阻率≤0.004Ω.cm；（2）进行第一外延层的生长，在衬底表面用生长温度为1040~1080℃，生长速率为≤1.5μm/min生长第一外延层，在第一层外延层生长完成后用氢气吹扫腔体；（3）进行第二外延层的生长，在第一外延层表面用生长温度为1040~1060℃，生长速率为2~3μm/min生长第二外延层。本发明选用合适衬底，满足器件和外延要求，有效提高外延层电阻率均匀性，减小边缘与中心区域过渡区的偏差，提高管芯的良率。