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VDMOS功率器件用硅外延片

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@@ 1、产品及其简介rn1973年美国IR公司推出VDMOS结构,将器件耐压、导通电阻和电流处理能力提高到一个新水平.

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来源
《中国集成电路》 |2007年第7期|56-57|共2页
作者
南京国盛电子有限公司;
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作者单位

南京国盛电子有限公司;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类
关键词
MOS功率器件; VDMOS结构; 硅外延片; VDMOS管; IR公司; 能力提高; 电流处理; 导通电阻;

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