机译:Ga_2中通孔的高刻蚀速率选择性刻蚀的电感耦合Cl_2 / BCl_3等离子体工艺研究
Aspect ratio; Etch yield; Etching; GaAs; ICP; Via-hole;
机译:Ga_2中通孔的高刻蚀速率选择性刻蚀的电感耦合Cl_2 / BCl_3等离子体工艺研究
机译:使用感应耦合的Cl_2 / BCl_3 / CH_4等离子体对GaAs / GaInP / AlGaInP进行平滑和垂直刻蚀
机译:在BCl_3 / Cl_2电感耦合等离子体中AlGaInP激光结构的选择性蚀刻
机译:BCl_3 / Cl_2 / Ar中In_(1-x-y)Al_xGa_yAs的电感耦合等离子体刻蚀
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:硅晶片蚀刻速率特性具有突发宽度使用150 kHz带高功率突发电感耦合等离子体
机译:高密度平面电感耦合BCL3 / SF6PLASMA中的Algaas和Ingap半导体选择性蚀刻GaAs和InGap半导体的研究
机译:ICl和IBr基化学中的电感耦合等离子体蚀刻:第一部分:Gaas,Gasb和alGaas;等离子体化学和等离子体处理