Etching; Plasma; Gallium Arsenides; Gallium Antimonides; Aluminium Compounds;
机译:用于深硅刻蚀应用的感应耦合SF 6和SF6 / Ar等离子体中等离子体化学的数值研究
机译:用光致抗蚀剂掩模在Cl-2 / Ar,Cl-2 / Ar / O-2化学中对GaAs进行电感耦合等离子体刻蚀
机译:电极在20°C时在基于Cl2 / CH4 / H2的化学中对InP / InGaAsP进行电感耦合等离子体深度蚀刻
机译:用光致抗蚀剂掩模在Cl2 / Ar / O2化学中对GaAs进行电感耦合等离子体刻蚀
机译:电感耦合碳氟化合物等离子体中的氧化物蚀刻:化学和反应器模拟。
机译:不同氟基混合气体使用电感耦合等离子体干法刻蚀钛酸钡薄膜的比较分析
机译:GaN,InN和AlN的电感耦合等离子体刻蚀的基于ICl和IBr的等离子体化学性质的比较