电感耦合等离子体刻蚀反应烧结碳化硅工艺研究

摘要

为获得超光滑的反应烧结碳化硅(RB-SiC)材料表面,以提高其表面反射率,利用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对RB-SiC进行刻蚀.通过正交实验研究了射频功率、偏压功率和刻蚀气体(CF4/O2)流量比三个因素对刻蚀速率和表面粗糙度的影响程度.分析了偏压功率这一单因素对刻蚀速率和表面粗糙度的影响规律.结果表明:偏压功率对刻蚀速率和表面粗糙度的影响程度最大,其次为射频功率,刻蚀气体(CF4/o2)流量比对刻蚀速率和表面粗糙度的影响最小;刻蚀最优射频功率为150 W,最优偏压功率为50W,最优CF4/O2流量比为25∶5,最优工作压强为1 Pa.