刻蚀速率

摘要： 片内热积累效应严重制约GaN器件向高功率密度应用发展,金刚石钝化散热结构的GaN器件热管控技术已成为目前研究重点,而金刚石栅区高精度刻蚀和控制是实现该热管理技术应用的关键工艺难点。因此,本文采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术,以氮化硅作为刻蚀掩膜,对纳米金刚石薄膜进行栅区微纳尺度刻蚀工艺研究,系统分析了刻蚀气体、组分占比、射频功率等工艺参数对刻蚀速率的影响。结果表明,ICP源功率与氧气流量对刻蚀速率有增强作用,Ar与CF_(4)的加入对刻蚀过程具有调控作用。最终提出了基于等离子体刻蚀技术的高精度微纳尺度金刚石钝化薄膜刻蚀方法,对金刚石集成GaN器件热管理和金刚石高精度刻蚀技术具有重要的指导意义。

摘要： 目的在反应速率温和的前提下,在n型单晶硅片表面制备低反射率的纳米倒金字塔绒面,研究H_(2)O_(2)浓度对铜纳米颗粒的沉积及刻蚀行为的影响。方法利用铜纳米粒子催化刻蚀方法对金刚线切割n型单晶硅进行表面织构化处理,利用扫描电子显微镜观察制绒后硅片表面微观形貌,利用紫外-可见分光光度计测试并计算硅片表面反射率,并分析铜催化刻蚀形貌和刻蚀速率随温度、H_(2)O_(2)浓度的变化情况,讨论铜催化刻蚀过程中倒金字塔的形成机理以及H_(2)O_(2)浓度对硅片表面刻蚀形貌的影响规律。结果双氧水浓度通过控制铜纳米颗粒在硅片表面的沉积-氧化平衡,来影响铜颗粒的沉积状态,并最终影响刻蚀过程。随着H_(2)O_(2)浓度的提高,刻蚀速率先升高、后降低,最后趋于平稳。同时,刻蚀过程将产生四个阶段的结构演化。结论H_(2)O_(2)在铜催化化学刻蚀过程中起着重要作用,调节H_(2)O_(2)浓度可控制铜纳米颗粒的沉积-氧化平衡,进而在硅片表面形成形貌均匀且反射率低的倒金字塔结构。40°C下,H_(2)O_(2)浓度为1.6 mol/L时,可在金刚线切割n型单晶硅片上成功制备出均匀的倒金字塔结构,表面反射率降低至6.4%,且反应速率温和(0.23μm/min),硅片减薄量低(3.5μm)。

摘要： 介绍了二次离子质谱仪(Secondary Ion Mass Spectrometry,SIMS)测试中一次离子束的各参数对测试的影响.研究发现,离子源的选择由分析元素决定,一次束能量决定深度分辨率,入射角度影响溅射产额,一次离子束的束流密度影响溅射速率.因此,在SIMS测试中,需要根据分析目的调节相应参数,以获得较好的分辨率.

摘要： 晶圆级封装键合环金属化过程中,铜和钛种子层通常采用两步湿法刻蚀工艺去除.该工艺分两步进行,成本高,且效率低,因此有必要探究新的腐蚀工艺.氨水、双氧水和水的混合物通常称为Ⅰ号液.通过研究铜和钛在不同比例的Ⅰ号液中的腐蚀特性,选择适当的配比,使Ⅰ号液对铜和钛有合适的选择比,达到将种子层刻蚀由两步合成为一步的目的.研究表明,当氨水和双氧水的浓度分别为2.11 mol/L和0.66mol/L时,同样条件下一步法可以获得良好的刻蚀形貌.

摘要： 随着大规模集成电路工艺技术的发展,针对越来越小的加工尺寸,在半导体刻蚀工艺中对亚微米及以下尺寸首选的蚀刻方式就是反应离子刻蚀,以其各向异性实现细微图形的转换.鉴于工艺上的要求,须将整个硅片表面的高低起伏全部抛光打磨成理想厚度,即平坦化工艺,这就需要研究反应离子蚀刻中二氧化硅刻蚀速率和均匀性的影响.通过反应离子刻蚀速率研究相关实验得出数据,再对薄膜厚度进行测量,最终定量计算出刻蚀速率和均匀性等参数,确定最佳的工艺条件.

摘要： 文章主要介绍了干刻机TE5000在做片过程中影响刻蚀速率的几个因素,包括腔体压力和RF功率、气体成分和流速、硅片温度、硅片间距不合适和维护不当、负载效应等,并对解决问题、改善刻蚀速率的措施进行了剖析.

摘要： 近年来,国内外学者对硅纳米线的制备方面进行了一系列的研究,得出了很多建设性的成果.本文对现行最流行的金属辅助化学刻蚀法(Metal-assisted chemical etching-MaCE)进行了研究.主要研究了金属催化剂(类型、形状、距离)和单晶硅特性(硅衬底方向、掺杂水平)对单晶硅纳米结构的形貌及刻蚀速率的影响进行了综述.

摘要： 制作传统声表面波(SAW)器件晶圆芯片表面的材料是Al,Al在空气中被氧化,极易生成致密的氧化铝(Al2O3)薄膜,由于Al2O3薄膜和Al及基底压电材料的刻蚀速率存在差异,会导致SAW的离子束调频过程复杂。该文介绍了一种用于SAW的离子束调频方法,采用该方法对制作的SAW器件进行离子束调频后,实现了目标频率的调高和调低,并进一步提高了频率集中度,从而解决了低频窄带SAW器件及2 GHz以上SAW高频器件频率精度难以提高的工艺难题。

摘要： 对HF、H2SO4和HNO3混合酸中,高铝硅酸盐盖板玻璃的刻蚀速率的变化趋势进行了分析,并对刻蚀速率与混合酸中HF浓度的关系进行了研究.研究发现,在一定浓度的HF混合酸中,刻蚀一定厚度的高铝硅酸盐盖板玻璃,其刻蚀速率基本保持不变;同时发现,刻蚀速率与混合酸中HF浓度为非线性关系,在一定浓度范围内,刻蚀速率变化幅度微小.这一发现,对盖板玻璃行业中获得超薄盖板玻璃具有产业化指导意义.

摘要： 在简单介绍了刻蚀SiC的几种方法的基础上重点讨论PE技术,RIE技术,ECR技术,ICP技术中对于SiC刺蚀速率的影响因素。通过前人所做的实验得出,刻蚀速率的影响因素主要是产生等离子体的刻蚀气体,通入的气体组分比,气体流速,反应室内的压力,衬底偏压,射频功率,刻蚀时间,温度等。不同的条件下刻蚀速率不一样。为得到最大刻蚀速率,目前使用ICP刻蚀方法最好。

摘要： 首次报道了HgCdTe焦平面探测器微台面列阵成形工艺的干法技术有关刻蚀速率的一些研究结果.从HgCdTe外延材料的特点出发,详细分析了其干法刻蚀适用的RIE(ReactiveIon Etching)设备、刻蚀原理以及刻蚀速率的影响因素.采用ICP(Inductively Coupled Plasma)增强型RIE技术,研究了一种标准刻蚀条件的微负载效应(etch lag)对刻蚀速率的影响,以及刻蚀非线性问题,并获得刻蚀速率随时间的关系.

摘要： 利用RIE技术实施光刻胶图形到衬底上的转移，分析刻蚀气氛、刻蚀功率等对氮化硅薄膜刻蚀的影响.实验结果表明，刻蚀气体采用CHF3，刻蚀RJE功率为120 W、ICP功率为500W时的刻蚀效果较好，可得到较为理想的刻蚀速率，刻蚀后表面残余光刻胶容易湿法去除，徽图形表面平整.

摘要： 该文利用反应离子刻蚀装置，研究了磁控溅射工艺制备的PZT薄膜在SF6/Ar等离子气体中的刻蚀情况。通过控制变量法，得出了刻蚀速率与射频功率、刻蚀气体压强和刻蚀气体流量之间的关系曲线。结果表明，随着射频功率的增加，刻蚀速率不断增加;刻蚀速率开始随刻蚀气体压强的增加而加快，压强超过一定值时，刻蚀速率反而减小;刻蚀速率在刻蚀气体流量较小时，随气体流量的增加而加快，在较大的气体流量下反而降低。通过比较不同条件下的刻蚀结果，得到了刻蚀PZT的优化工艺条件。

摘要： 本文采用ICP等离子体刻蚀工艺,以CHF3、SF6和O2作为刻蚀气体,对生长在SiO2上的多晶3C-SiC膜进行了刻蚀工艺研究,得出来优化的刻蚀条件,该刻蚀条件具有较快的刻蚀速率并且可以获得较陡直的侧墙.不同的刻蚀气体对刻蚀速率有明显的影响,用纯CHF3或CHF3与O2的混合气作为刻蚀气体时,刻蚀速率较慢,相同条件下,加入SF6刻蚀速率有较大的提高,主要是由于SF6具有比CHF3高的自由[F]基生成率.用优化的刻蚀条件对用来做谐振器的多晶3C-SiC进行了深刻蚀,后用HF将SiC层下的SiO2释放掉,得到了悬空的谐振器结构.

摘要： 人通过应用SF6、C12、O2、He2、CHF3等不同比例的混合气体的反应离子刻蚀技术,对金属钽Tantalum(Ta)薄膜的刻蚀特性进行了研究.实验表明:在射频功率为200W、电极间距为9mm、工作压力为190mtorr,SF6和C12的流量分别为20sccm和30sccm的条件下,可以获得高达21.7nm/s的刻蚀速率.原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)表明:在其它条件下不变的条件下,通过降低工作压力可以获得陡直刻蚀图形.在用混合气体SF6、O2的反应离子刻蚀时,适量的氧气可以提高薄膜的刻蚀速率.

摘要： 在MEMS器件中,SiC材料的使用已经越来越广泛,因此形成一套可以满足兼容性和可控性要求的标准工艺显得十分重要.本文通过对PECVDSiC进行不同条件下的反应离子刻蚀(RIE)和电感耦合反应离子刻蚀(ICP)实验研究,提出了使用SF6和He的混合气体进行RIE刻蚀,并讨论了功率以及压强分别对于刻蚀速率的影响.进一步研究了SiC中H含量对于RIE刻蚀速率的影响,同时验证了ICP刻蚀过程中负载效应的存在.

摘要： 简单介绍了ICP(inductively coupled plasma)刻蚀的基本原理,深入研究不同的工艺参数对于InP 端面刻蚀的影响,同时报道了ICP刻蚀技术在InP基光电子器件制作方面的进展和应用前景.

摘要： 简单介绍了ICP(inductively coupled plasma)刻蚀的基本原理,深入研究不同的工艺参数对于InP 端面刻蚀的影响,同时报道了ICP刻蚀技术在InP基光电子器件制作方面的进展和应用前景.

摘要： 本发明公开了一种湿法刻蚀石英晶体少量晶面获取全晶面刻蚀速率的方法，包括获取约束晶面的实验刻蚀速率；建立Q‑RPF石英湿法刻蚀工艺表面原子移除概率函数并确定待优化目标参数；利用KMC动力学蒙特卡洛算法计算种群中各约束晶面模拟刻蚀速率；生成目标参数的初始优化种群并利用遗传算法不断优化各个体目标参数的取值；判断约束晶面仿真刻蚀速率和实验刻蚀速率是否实现拟合，满足则输出最优个体目标参数；不满足则将最优个体目标参数编码和遗传变异，生成下一代种群，进入新一轮循环；将最优个体目标参数代入KMC动力学蒙特卡洛湿法刻蚀半球模型，输出全晶面刻蚀速率。

摘要： 本发明公开了一种待刻蚀层的刻蚀速率分布曲线的数据库，包括在以下刻蚀条件下形成的多条第一曲线，所述第一曲线为所述待刻蚀层上各点的刻蚀速率随各点离待刻蚀层的中心距离不同而形成的分布曲线，所述刻蚀条件为：在刻蚀机台底电极板的中心温度和边缘温度相同的情况下，分别进行中心进气、边缘进气和均等进气。采用本发明的数据库可以解决整个晶片上材料层厚度不均匀的问题，改善半导体器件电学性质，提高良品率。

摘要： 一种调节晶圆表面刻蚀速率均一性的刻蚀方法，包括：在刻蚀过程中，调节刻蚀反应气体的供应或供应参数，使晶圆边缘区域的含氟原子浓度高于在晶圆中心区域的浓度，从而增加晶圆边缘区域的刻蚀速率。本发明提高了半导体器件的可靠性及良品率。

摘要： 本发明涉及一种改善多晶硅膜层干法刻蚀速率稳定性的方法及刻蚀腔室，属于半导体制造技术领域，解决了现有技术中在连续的刻蚀工艺中，随着刻蚀腔室刻蚀的晶圆数量的增加，腔室内壁吸附的氟离子会与溴化氢气体结合，造成对多晶硅膜质进行刻蚀的溴化氢含量的减少；在连续的刻蚀工艺中，随着刻蚀腔室刻蚀的晶圆数量的增加，刻蚀速率发生变化；因刻蚀速率的变化造成生产工艺良品率下滑和产品均一度下降的问题。本发明的改善多晶硅膜层干法刻蚀速率稳定性的方法，在刻蚀腔室内壁氟离子聚集区域设置氟离子捕获剂。实现了在连续刻蚀进程中保持刻蚀速率。

摘要： 本发明公开了一种湿法刻蚀石英晶体少量晶面获取全晶面刻蚀速率的方法，包括获取约束晶面的实验刻蚀速率；建立Q‑RPF石英湿法刻蚀工艺表面原子移除概率函数并确定待优化目标参数；利用KMC动力学蒙特卡洛算法计算种群中各约束晶面模拟刻蚀速率；生成目标参数的初始优化种群并利用遗传算法不断优化各个体目标参数的取值；判断约束晶面仿真刻蚀速率和实验刻蚀速率是否实现拟合，满足则输出最优个体目标参数；不满足则将最优个体目标参数编码和遗传变异，生成下一代种群，进入新一轮循环；将最优个体目标参数代入KMC动力学蒙特卡洛湿法刻蚀半球模型，输出全晶面刻蚀速率。

摘要： 一种ICP刻蚀中对刻蚀速率非均匀性进行补偿的装置和方法，在ICP刻蚀器件中设置补偿装置，其包含至少一个补偿器以及连接该补偿器的驱动装置，所述的补偿器设置在感应线圈上方，补偿器产生的感应磁场抵消感应线圈产生的电磁场，根据检测到的等离子分布数据，通过驱动装置来驱动补偿器在感应线圈上方移动来调节电磁场的密度，从而调节刻蚀速率，使ICP刻蚀器件得到均匀的刻蚀速率。本发明对刻蚀速率非均匀性进行补偿，获得均匀的刻蚀速率。

摘要： 一种具有降低边缘刻蚀速率之顶部圆盘的等离子体刻蚀设备，包括：石英顶部圆盘，构成等离子体刻蚀设备之腔体顶部；腔体侧壁，与石英顶部圆盘形成密封面，且进一步与腔体底板围闭形成真空腔室；密封圈，设置在石英顶部圆盘与腔体侧壁之间，且石英顶部圆盘之于腔体侧壁紧邻真空腔室一侧形成的凸起阻挡装置设置在密封圈之面向真空腔室的一侧。本发明通过在石英顶部圆盘和腔体侧壁之间设置密封圈，且在石英顶部圆盘与腔体侧壁之间，并位于密封圈之面向真空腔室的一侧设置凸起阻挡装置，不仅有效避免紧邻密封圈处的石英顶部圆盘被刻蚀，维持密封特性，而且延缓石英顶部圆盘的更换时间，提升其使用寿命，降低生产成本。

摘要： 本发明公开了一种待刻蚀层的刻蚀速率分布曲线的数据库，包括在以下刻蚀条件下形成的多条第一曲线，所述第一曲线为所述待刻蚀层上各点的刻蚀速率随各点离待刻蚀层的中心距离不同而形成的分布曲线，所述刻蚀条件为：在刻蚀机台底电极板的中心温度和边缘温度相同的情况下，分别进行中心进气、边缘进气和均等进气。采用本发明的数据库可以解决整个晶片上材料层厚度不均匀的问题，改善半导体器件电学性质，提高良品率。

摘要： 一种调节晶圆表面刻蚀速率均一性的刻蚀方法，包括：在刻蚀过程中，调节刻蚀反应气体的供应或供应参数，使晶圆边缘区域的含氟原子浓度高于在晶圆中心区域的浓度，从而增加晶圆边缘区域的刻蚀速率。本发明提高了半导体器件的可靠性及良品率。

摘要： 本实用新型提供一种可区域性控制刻蚀速率的刻蚀设备，包括刻蚀腔室，设置在刻蚀腔室内的基础刻蚀线圈，以及与基础刻蚀线圈连接的射频电源；还包括：设置在刻蚀腔室内并与射频电源连接的若干个辅助刻蚀线圈，每个辅助刻蚀线圈的尺寸小于基础刻蚀线圈；每个辅助刻蚀线圈用于使对应区域中的离子浓度发生变化，以调整对应区域下方晶圆的刻蚀速率。还提供一种半导体产品制造系统。基础刻蚀线圈和辅助刻蚀线圈叠加作用，使得对应区域中的离子浓度增大，提高下方晶圆的刻蚀速率，实现了分区域进行刻蚀速率调整的目的，避免出现刻蚀不干净或刻蚀过度的现象，也规避了因微负载效应带来的缺陷，提高了刻蚀均匀性。