选择比
选择比的相关文献在1961年到2023年内共计66193篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、中国文学、社会学
等领域,其中期刊论文196篇、会议论文1篇、专利文献65996篇;相关期刊168种,包括中国科学技术大学学报、发现、微细加工技术等;
相关会议1种,包括第七届全国固体薄膜学术会议等;选择比的相关文献由50000位作者贡献,包括彭晖、张涛、不公告发明人等。
选择比—发文量
专利文献>
论文:65996篇
占比:99.70%
总计:66193篇
选择比
-研究学者
- 彭晖
- 张涛
- 不公告发明人
- 戴伟
- 常晓昕
- 王斌
- 张鹏
- 王勇
- 钱颖
- 车春霞
- 乐毅
- 王磊
- 王涛
- 韩伟
- 王伟
- 王鹏
- 张凯
- 张伟
- 胡晓丽
- 梁玉龙
- 谭都平
- 李杰
- 骆涛
- 张磊
- 张峰
- 肖琨
- 刘斌
- 刘洋
- 李鹏
- 焦李成
- 李强
- 李伟
- 张莉
- 李峰
- 孔德金
- 王超
- 王军
- 孙利民
- 李军
- 陈伟
- 陈前斌
- 张强
- 张超
- 刘伟
- 刘俊涛
- 王浩
- 刘畅
- 厉隽怿
- 梁顺琴
- 张勇
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霍兆晴;
牛新环;
刘玉岭;
杨程辉;
卢亚楠
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摘要:
为了提高阻挡层化学机械抛光(CMP)的去除速率选择比,提出一种添加剂二乙烯三胺五乙酸五钾(DTPA-5 K),研究它在含双氧水(H2 O2)的抛光液中对材料去除速率的影响,并通过X射线光电子能谱(XPS)和离子间的相互作用分析了相关去除机理.结果表明:DTPA-5K既可作为铜(Cu)的络合剂,同时也可作为介质(TEOS)促进剂,显著地提高两种材料的去除速率.此外,抑制剂1,2,4-三氮唑(TAZ)的引入抑制了铜的去除速率而对介质无影响,进而提高了速率选择比.使用优化后的抛光液抛光后,介质和铜去除速率分别达到了107.4 nm/min和54.9 nm/min,选择比为1.96,基本符合工业要求.最后,对平坦化性能进行测试,结果显示,抛光45 s后,碟形坑深度由112.9 nm修正为55.8 nm,腐蚀坑深度由55.6 nm修正为19.7 nm,且表面粗糙度由3.35 nm降低到1.08 nm,表现出良好的抛光性能和表面质量.
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谢迪;
李浩;
王从香;
侯清健;
崔凯
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摘要:
为了提高多芯片组件(Multi-Chip Module,MCM-C/D)技术中低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramic,LTCC)基板的表面质量,需要采用化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)工艺使基板表面平坦化.文中探讨了基于田口试验方法的基板CMP工艺参数优化设计方法.在一定的抛光条件下,抛光液pH值、抛光载荷和抛光盘转速是影响基板表面质量的主要工艺参数.文中设计了3因素3水平试验进行研究.研究结果表明,基板表面CMP平坦化的影响因素依次是抛光载荷、抛光液pH值和抛光盘转速.采用优化参数获得了光洁、平整的表面,基板粗糙度Ra≤0.05μm,浆料凸起高度H≤3μm,经薄膜工艺验证,满足厚薄膜混合基板的研制应用需求.
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况况1
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摘要:
中年人转行,比年轻人需要更多的勇气。一旦选择转行,意味着放弃多年累积的专业背景,一切从头再来。张爱玲说,人到中年的男人,时常会觉得孤独,因为他一睁开眼睛,周围都是要依靠他的人,却没有他可以依靠的人。其实今天来看,这种孤独感不分男女。朋友的辞职拉锯战几乎持续了一年,主要是父母不同意。在父母眼中,事业单位虽然工资不高,但比上不足比下有余,最重要的是稳定。
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吴晓芳
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摘要:
教学活动是一种将教师的教和学生的学联系在一起的活动。幼儿园的有效教学就是要根据幼儿的年龄阶段性特点,合理地安排课堂教学内容,激发他们对学习的兴趣点,实现教学目标的设定,发挥幼儿的主体性地位,促进幼儿全面性发展。
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张文琼;
高志廷
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摘要:
采用等离子ICP刻蚀机,对向单晶硅进行真空刻蚀。结果表明:随着时间的增大,刻蚀深度(纵向距离)在增大,刻蚀速率为200 nm/min;侧蚀距离(横向距离)随着时间的推移而增大,在60 min时候,单壁侧蚀距离为1. 5μm,侧蚀速率在50 nm/min; Si的刻蚀速率随着SF6的气体流量的增加而增大,当流量达到80 sccm,刻蚀速率为268 nm/min;光刻胶刻蚀速率却随着气体流量的增加而降低,在70 sccm时候,光刻胶刻蚀速率为32 nm/min;光刻胶的刻蚀速率与Si的刻蚀速率在一定场合下呈现反比例关系。
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从易
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摘要:
无论职场还是人生之路,都是马拉松,有个好学历仅仅是出发时更容易一些,不一定意味着笑到最后。最近因为一档演讲节目的辩题,"学历是否重要"再一次成为网络上的热点话题。有些出人意料的是,认为学历不重要的网友竟然也占了很大一部分。这让人联想到美国战略理论家布热津斯基的"奶头乐"理论。布热津斯基认为,世界全球化会使20%的人搭乘快车一路驰骋,80%的人会被"边缘化"。而这80%的人口与20%的人口之间的冲突则将成为今后的主要问题。
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曲鹏程;
唐代飞;
向鹏飞;
袁安波
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摘要:
针对氮化硅刻蚀工艺中硅衬底刻蚀损伤的问题.为了提高氮化硅对二氧化硅的刻蚀选择比,采用CF4,CH3F和O2这3种混合气体刻蚀氮化硅,通过调整气体流量比、腔内压强及功率,研究其对氮化硅刻蚀速率、二氧化硅刻蚀速率及氮化硅对二氧化硅选择比等主要刻蚀参数的影响.实验表明,在CH,F流量为25,O2流量为40 sccm,腔内压强为67Pa,功率为150 W的条件下,得到氮化硅对二氧化硅选择比为15∶1,非均匀性3.87%的氮化硅刻蚀工艺.
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Jie/Jefferson
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摘要:
方向很重要,创业者必须要去想,要客观分析、审慎思考、独立判断,要了解社会趋势、市场情况、竞争态势,分析用户需求、切入点、增长潜力、成本结构、盈利情况,综合评估这个领域是否适合自己发挥优势去搏一把。要避免感性的冲动,不要等到失败回头复盘时再发出感慨"选择比努力更重要"。
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- 北京源启先进微电子有限公司
- 公开公告日期:2022.03.22
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摘要:
本申请实施例提供一种应用于多路选择器的选择装置及多路选择器。所述多路选择器用于接入m个使能信号EN[m‑1:0],以及n路数据D0‑Dn‑1,其中,m个使能信号用于指示n路数据的选通状态,m和n为大于1的正整数;所述选择装置包括与n路数据一一对应的n个选择单元,其中,第j个选择单元的输入端接入第j路数据Dj‑1,第j个选择单元的控制端用于接入控制信号SEL[j‑1],控制信号用于控制选择单元处于选通状态,其中,j=[1,n],且j为整数,控制信号SEL[j‑1]根据选通优先级高于以及等于Dj‑1的数据对应的使能信号生成;n个所述选择单元的输出端与所述选择装置的输出级连接。
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